[发明专利]一种薄片式515nm波段全固体绿激光器

权利要求书

1.一种薄片式515nm波段全固体绿激光器，包括一泵浦源，其特征在于：还包括第一球面耦合反射镜（3）、输出耦合镜（5）、第二球面耦合反射镜（6）、增益介质（7）、热沉（9），所述增益介质（7）通过焊接层（8）焊接到所述热沉（9）上；

所述增益介质（7）的后表面和输出耦合镜（5）的凹面构成平凹谐振腔，所述输出耦合镜（5）位于所述增益介质（7）的出射光路上；

所述泵浦源、第一球面耦合反射镜（3）和第二球面耦合反射镜（6）组成四程抽运式光学耦合系统，所述第一球面耦合反射镜（3）和所述泵浦源位于所述平凹谐振腔的同一侧，所述第二球面耦合反射镜（6）位于所述第一球面耦合反射镜（3）对称的另一侧，所述第一球面耦合反射镜（3）位于所述泵浦源发射的泵浦光的光路上，所述第二球面耦合反射镜（6）位于所述增益介质（7）反射的泵浦光的光路上。

2.根据权利要求1所述的薄片式515nm波段全固体绿激光器，其特征在于：所述泵浦源包括一半导体激光器列阵和一光纤头，所述半导体激光器列阵发射的泵浦光通过所述光纤头耦合输出。

3.根据权利要求1所述的薄片式515nm波段全固体绿激光器，其特征在于：所述泵浦源包括一单管半导体激光器和一光束整形系统，所述单管半导体激光器发射的泵浦光通过光束整形系统整形后输出。

4.根据权利要求1或2或3所述的薄片式515nm波段全固体绿激光器，其特征在于：还包括一倍频晶体（4），所述倍频晶体（4）位于所述输出耦合镜（5）和所述增益介质（7）之间。

5.根据权利要求4所述的薄片式515nm波段全固体绿激光器，其特征在于：还包括一饱和吸收体（10），所述饱和吸收体（10）位于所述增益介质（7）与所述倍频晶体（4）之间或位于所述倍频晶体（4）与所述输出耦合镜（5）之间。

6.根据权利要求1或2或3所述的薄片式515nm波段全固体绿激光器，其特征在于：还包括一倍频晶体（4）、一饱和吸收体（10）、一聚焦透镜（11）和一温控系统（12），所述饱和吸收体（10）位于所述输出耦合镜（5）和所述增益介质（7）之间，所述聚焦透镜（11）位于所述输出耦合镜（5）之后，所述倍频晶体（4）位于所述聚焦透镜（11）之后，并通过所述温控系统（12）对所述倍频晶体（4）进行精确温度控制。