[发明专利]发光模块无效
申请号: | 201110382846.2 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102425745A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 叶钧皓 | 申请(专利权)人: | 上海向隆电子科技有限公司 |
主分类号: | F21S8/00 | 分类号: | F21S8/00;F21V8/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 胡美强 |
地址: | 201508 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 模块 | ||
1.一种发光模块,包括:一第一光源;以及一导光板;其特征在于:所述的导光板包括:
一出光面;该出光面包括多个线性立体单元相互平行且间隔地配置于该出光面上;
一反射面;该反射面与该出光面相互对立;
一第一入光面;该第一入光面介于该出光面及该反射面之间,该第一入光面平行每一该些线性立体单元,该第一光源朝该第一入光面发光;
多个第一立体单元群;该多个第一立体单元群分别一对一地位于该反射面对应此些线性立体单元之一垂直投影位置内,每一该些第一立体单元群包含多个相互平行之第一线性微结构,该些第一线性微结构皆平行该些线性立体单元;以及
一第二立体单元群;该第二立体单元群位于该反射面上除了该些第一立体单元群以外之其它区域,该第二立体单元群是由多个相互平行之第二线性微结构所组成,该些第二线性微结构皆平行该些线性立体单元,该些第二线性微结构于该反射面上之垂直落差、最大宽度及分布密度至少其中之一是随着该些第二线性微结构分别与该第一入光面之距离大小成正比;该些第一线性微结构不同于该些第二线性微结构。
2.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于:每一该些第一立体单元群之该些第一线性微结构之垂直落差、最大宽度与分布密度至少其中之一小于该些第二线性微结构之垂直落差、最大宽度与分布密度至少其中之一。
3.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于:该些线性立体单元之垂直落差、最大宽度与分布密度至少其中之一彼此皆相同。
4.根据权利要求3所述的发光模块,其特征在于:每一该些第一立体单元群中之所有该些第一线性微结构之垂直落差、最大宽度与分布密度至少其中之一彼此皆相同。
5.根据权利要求3所述的发光模块,其特征在于:每一该些第一立体单元群中之所有该些第一线性微结构之垂直落差、最大宽度及分布密度至少其中之一是随着该些第一线性微结构分别与该第一入光面之距离大小成正比。
6.根据权利要求3所述的发光模块,其特征在于:每一该些第一立体单元群中之所有该些第一线性微结构之垂直落差、最大宽度及分布密度至少其中之一是以位于中间地址之该一第一线性微结构分别朝其两旁该些第一线性微结构之方向产生递减。
7.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于:该些线性立体单元之垂直落差、最大宽度与分布密度至少其中之一是随着该些线性立体单元分别与该第一入光面之距离大小成正比。
8.根据权利要求7所述的发光模块,其特征在于:该些第二线性微结构于该反射面上之垂直落差是随着该些第二线性微结构分别与该第一入光面之距离大小成正比。
9.根据权利要求7所述的发光模块,其特征在于:每一该些第一立体单元群中之所有该些第一线性微结构之垂直落差、最大宽度及分布密度至少其中之一是以位于中间地址之该一第一线性微结构分别朝其两旁之该些第一线性微结构之方向产生递减。
10.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于还包括:一第二光源,且该导光板还包括:一第二入光面;该第二入光面相对该第一入光面,且该第二光源朝该第二入光面发光。
11.根据权利要求10所述的发光模块,其特征在于:该些线性立体单元共同之一长轴走向与该第一入光面及该第二入光面之长轴走向相互平行,且该些线性立体单元之垂直落差、最大宽度与分布密度至少其中之一彼此皆相同,每一该些第一立体单元群中之所有该些第一线性微结构之垂直落差、最大宽度与分布密度至少其中之一彼此皆相同,且每一该些第一立体单元群之该些第一线性微结构之垂直落差、最大宽度与分布密度至少其中之一小于该些第二线性微结构之垂直落差、最大宽度与分布密度至少其中之一。
12.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于:每一该些线性立体单元为一V型凹沟或U型凹沟。
13.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于:每一该些第一线性微结构为一V型凹沟或U型凹沟。
14.根据权利要求1所述的发光模块,其特征在于:每一该些第二线性微结构为一V型凹沟或U型凹沟。
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