[发明专利]移位寄存器、栅极驱动器及显示装置有效

专利信息
申请号: 201110382100.1 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102654968A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 青海刚;祁小敬 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 栅极 驱动器 显示装置
【权利要求书】:

1.一种移位寄存器,其特征在于,所述移位寄存器包括:

输入编程单元、锁存单元、输出编程单元和反相输出单元;其中,所述输入编程单元连接所述锁存单元的输入端,为所述锁存单元的输入端编程;

所述锁存单元用于锁存输出信号,所述锁存单元的正相和反相输出端通过所述输出编程单元连接;

所述输出编程单元连接与所述锁存单元的输出端连接,为所述锁存单元的输出端编程;

所述反相输出单元连接所述锁存单元的反相输出端,用于生成所述移位寄存器的反相输出信号。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,所述锁存单元包括首尾相连的第一反相器和第二反相器。

3.根据权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,所述锁存单元中的第一反相器包括:

第十三薄膜晶体管,其栅极作为所述锁存单元的输入端,漏极作为所述锁存单元的正相输出端,源极与数字地电压端连接;

第二反相器包括:

第十薄膜晶体管,其栅极连接所述锁存单元的正相输出端,漏极作为所述锁存单元的反相输出端,源极与数字地电压端连接。

4.根据权利要求3所述的移位寄存器,其特征在于,所述锁存单元中的第一反相器还包括:

第十二薄膜晶体管,其栅极与漏极同时连接工作电压端,源极与所述锁存单元的正相输出端连接;

第二反相器还包括:

第九薄膜晶体管,其栅极与漏极同时连接工作电压端,源极与所述锁存单元的输入端和反相输出端连接。

5.根据权利要求4所述的移位寄存器,其特征在于,所述锁存单元中的第一反相器还包括:

第十一薄膜晶体管,用于控制所述第十二薄膜晶体管的栅极与工作电压端的连接,所述第十一薄膜晶体管的栅极和漏极同时接工作电压端、源极与所述第十二薄膜晶体管的栅极连接;

第二反相器还包括:

第八薄膜晶体管,用于控制所述第九薄膜晶体管的栅极与工作电压端的连接,所述第八薄膜晶体管的栅极和漏极同时接工作电压端、源极与所述第九薄膜晶体管的栅极连接。

6.根据权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,所述输入编程单元包括第一薄膜晶体管,其栅极连接第一时钟信号端,源极连接第二输入信号端,漏极连接所述锁存单元的输入端。

7.根据权利要求6所述的移位寄存器,其特征在于,所述输出编程单元包括:第二、三、四薄膜晶体管,其中第二薄膜晶体管的栅极连接第二时钟信号端、源漏极分别连接所述锁存单元的正相输出端和第三薄膜晶体管的栅极,第三薄膜晶体管的源漏极分别连接第一输出信号端和工作电压端,第四薄膜晶体管的栅极连接所述锁存单元的反相输出端、源漏极分别连接数字地电压端和第一输出信号端。

8.根据权利要求7所述的移位寄存器,其特征在于,所述输出编程单元还包括:第五薄膜晶体管,其栅极连接第一输入信号端、源漏极分别连接数字地电压端和第一输出信号端。

9.根据权利要求8所述的移位寄存器,其特征在于,所述反相输出单元包括:第六薄膜晶体管,其栅极连接第二输入信号端、源漏极分别连接所述锁存单元的反相输出端和第二输出信号端。

10.根据权利要求9所述的移位寄存器,其特征在于,所述反相输出单元还包括:第七薄膜晶体管,其栅极连接第一输入信号端、源漏极分别连接工作电压端和第二输出信号端。

11.根据权利要求3至10任一项所述的移位寄存器,其特征在于,其中的薄膜晶体管为N型薄膜晶体管和/或P型薄膜晶体管。

12.一种栅极驱动器,其特征在于,所述栅极驱动器包括:

多个级联的如权利要求1至11任一项所述的移位寄存器。

13.根据权利要求12所述的栅极驱动器,其特征在于,所述栅极驱动器中:

第一级移位寄存器的第一输入信号端连接初始化的起始信号、第二输入信号端连接起始信号的反相信号;

除第一级移位寄存器外,其余各级移位寄存器的第一输入信号端连接上一级移位寄存器的第一输出信号端,第二输入信号端连接上一级移位寄存器的第二输出信号端。

14.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括彩膜基板、阵列基板和液晶盒,其中,所述阵列基板中集成有如权利要求12或13所述的栅极驱动器。

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