[发明专利]具系统修复数据的内嵌式内存及其系统修复方法

说明书

【技术领域】

本发明是有关闪存的技术，尤指一种用于内嵌式内存的技术及其控制方法。

【背景技术】

闪存(Flash Memory)，是非挥发性内存的一种，其是用一个浮动栅(Floating Gate)晶体管控制电荷流入的数量来储存数据，且其不需额外的电力来维持数据的储存。换句话说，在切断外部电源的情况下，闪存内储存的数据不会因此消失。

闪存又可分为NOR Flash以及NAND Flash两种。一般来说，前者常被用于储存程序代码，后者常被用于储存数据数据。若再以每个晶体管单元(Cell)所能储存的数据数量来区分，可以将NAND Flash区分为两类：一阶储存(Single Level Cell，SLC)架构和多阶储存(Multi Level Cell，MLC)架构。

传统的闪存架构，可参考美国专利申请公开文件(US Patent Application Publication)公开号US 2007/0234341A1。该架构的主要对象有三：计算机装置，读取装置，以及存储器。其中，存储器中包含了内存(Memory)与控制单元(Controller)，而存储器轫体(Card Firmware)储存于该控制单元中，以引导该控制单元的活动。

该美国专利申请公开文件揭露一种通过网络更新存储器轫体的技术。由于存储器制造商随着其技术演进，会不定时地发布存储器轫体的最新版本，而传统存储器轫体更新作业需将存储器送回存储器制造商，无法由使用者自行更新。该篇专利公开文件揭露一种内系统编码(In-System Programming)的机制，以使该具有内系统编码的存储器，能够通过网络接收内存制造商提供的最新轫体版本，并更新该存储器的轫体版本，进而提升存储器的使用效能。然而，该技术的缺陷是必须能够接收到网络传来的最新轫体版本，才能够进行轫体的更新。换一个角度说，若该计算机装置无法启动，因此连不上网络，该存储器自然也无法更新轫体版本。

内嵌式内存使用上，则非常容易遇到因计算机装置无法启动，连不上网络，该存储器无法更新轫体版本的问题。内嵌式内存主要应用于手持式电子设备上，以做为该手持式电子设备的储存单元。与传统储存单元不同，该内嵌式内存的特点有三：第一，若该内嵌式内存的轫体损毁，则该手持式电子设备极可能无法正常运作，更无法连上网络更新轫体，以致于该手持式电子设备无法开机；第二，由于该内嵌式内存在于其是以锡球、锡炉焊于该手持式电子设备上，因此在锡炉焊接制程中极可能损毁其轫体；第三，又因为内嵌式内存是内嵌于手持式电子设备中，若欲取出后换新，则该金钱成本与时间成本都不符合成本效益。

综上可知，由于内嵌式内存使用过程常搭配锡炉焊接制程，锡炉的作业温度往往高达摄氏250度以上，如此高温则大幅提高闪存单元11中数据损坏的风险。有鉴于此，如何有效确保锡炉焊接制程中损毁内嵌式内存中系统内码(In-System Programming Code，ISP Code)的安全性，以克服手持式电子设备无法开机的缺憾，实为业界有待解决的重要课题。

【发明内容】

本发明揭露一种具系统修复数据的内嵌式内存，其包含有一个闪存单元，一个储存单元，以及一个控制单元。其中，该闪存单元储存有一组系统内码(In-System Code，ISP Code)，储存单元储存一组系统修复码，而该系统修复码是用以重建该系统内码。控制单元电性连接该闪存单元与该储存单元，且该控制单元用以判断该系统内码是否损毁；并当该系统内码损毁时，控制单元读取该系统修复码，进而重建该系统内码。

本发明所揭露储存单元可为一个一次性可编程内存(One Time Programmable ROM，OTP ROM)，或一个可擦除可编程内存(Erasable Programmable ROM，EPROM)。与该闪存单元相比，该一次性可编程内存或可擦除可编程内存均具有较好的数据保存性，较不会因为外界温度变化、例如过冷或过热而发生数据灭失的问题。

本发明所揭露的控制单元于系统内码损毁时，将读取系统修复码，而该系统修复码将引导控制单元先格式化闪存单元，再引导控制单元识别闪存单元中的损坏区域与非损坏区域，最后控制单元则将系统内码重建于闪存单元的非损坏区域中，进而达到系统修复的功能。