[发明专利]硅酸盐复合物抛光垫

权利要求书

1.一种抛光垫，所述抛光垫用于抛光半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种，所述抛光垫包括：

聚合物基质，所述聚合物基质具有抛光表面；

聚合物微元件，所述聚合物微元件分布在所述聚合物基质中和所述聚合物基质的抛光表面上；所述聚合物微元件具有外表面并且被流体填充从而在抛光表面产生纹理；和

分布在各聚合物微元件中的含硅酸盐的区域，所述含硅酸盐的区域被隔开，涂覆所述聚合物微元件小于50％的外表面；和小于聚合物微元件总量的0.1重量％的聚合物微元件与以下组分结合：i)硅酸盐颗粒，所述硅酸盐颗粒的粒度大于5μm；ii)含硅酸盐的区域，所述含硅酸盐的区域覆盖所述聚合物微元件超过50％的外表面；和iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件与硅酸盐颗粒团聚至平均簇尺寸大于120μm。

2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，与所述聚合物微元件结合的硅酸盐区域的平均尺寸为0.01-3μm。

3.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物微元件的平均尺寸为5-200微米。

4.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述含硅酸盐的区域覆盖所述聚合物微元件1-40％的外表面。

5.一种抛光垫，所述抛光垫用于抛光半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种，所述抛光垫包括：

聚合物基质，所述聚合物基质具有抛光表面；

聚合物微元件，所述聚合物微元件分布在所述聚合物基质中和所述聚合物基质的抛光表面上；所述聚合物微元件具有外表面并且被流体填充从而在抛光表面产生纹理；和

分布在各聚合物微元件中的含硅酸盐的区域，所述含硅酸盐的区域被隔开，涂覆所述聚合物微元件1-40％的外表面；和小于聚合物微元件总量的0.05重量％的聚合物微元件与以下组分结合：i)硅酸盐颗粒，所述硅酸盐颗粒的粒度大于5μm；ii)含硅酸盐的区域，所述含硅酸盐的区域覆盖所述聚合物微元件超过50％的外表面；和iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件与硅酸盐颗粒团聚至平均簇尺寸大于120μm。

6.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，分布在所述聚合物微元件上的含硅酸盐的区域的平均粒度为0.01-2微米。

7.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物微元件的平均尺寸为10-100微米。

8.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，所述含硅酸盐的区域覆盖所述聚合物微元件2-30％的外表面。