[发明专利]用于机群文件系统的元数据存储系统和管理方法有效
申请号: | 201110366559.2 | 申请日: | 2011-11-17 |
公开(公告)号: | CN102364474A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 陈卓;熊劲 | 申请(专利权)人: | 中国科学院计算技术研究所 |
主分类号: | G06F17/30 | 分类号: | G06F17/30 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 机群 文件系统 数据 存储系统 管理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及机群文件系统体系结构,尤其涉及机群文件系统中的元数 据存储及相关的数据迁移机制。
背景技术
随着信息技术的发展,人类产生、保存和处理的数据越来越多。文件 的数量随着数据量的增加而明显增加,这给基于传统的动态随机存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)+硬盘驱动(Hard Disk Drive, HDD)存储架构的机群文件系统的元数据存储系统提出了严峻的挑战:
在存储规模方面,元数据的存储总量越来越大。机群文件系统中要保 存的文件数量越来越多,特别是随着互联网应用的高速发展,文件以多种 形式存在,如邮件、照片、视频、报表等。伴随着数据总量的增多,文件 总量也以每年近两倍的速度增长,这使得机群文件系统的元数据总量迅速 膨胀。在元数据操作性能方面,性能的需求也逐渐提高。高性能计算逐渐 由CPU密集型向I/O密集型转变,系统的I/O效率对性能有着重要的影响, 这也就要求存储系统有很高的元数据操作性能。此外互联网的高速发展也 对海量存储系统的元数据操作性能有更高的要求。
这些挑战使基于传统DRAM+HDD存储架构的元数据存储系统无法 满足需求。这是因为由于元数据总量较大,DRAM无法满足所有元数据请 求,一部分元数据I/O请求将发往HDD,而HDD巨大的I/O时延将成为 系统的性能瓶颈。
相对于HDD,固态硬盘SSD(Solid-state Drive)具有高带宽、低时延 的优势,但使用SSD存储元数据也面临很多问题。对于基于传统 DRAM+HDD存储架构的机群文件系统的元数据存储组织方式,一般采用 基于目录树存储或者将元数据保存在数据库中,这会造成元数据I/O模式 以小粒度随机I/O为主,这种I/O也并不适合于SSD。因为,SSD的性能 受到I/O模式的影响,SSD的顺序I/O性能好于随机I/O性能。其次,小 粒度随机写会减少SSD的使用寿命,且会造成SSD的碎片化,对后续I/O 操作造成不利影响。此外,SSD的价格比较昂贵,且单盘存储容量较小, 这些都会影响SSD的使用。而对那些基于NVRAM(Non-Volatile Radom Access Memory,非易失性随机访问存储器)、PRAM(Phase-change RAM, 相变存储器材)之类新型存储介质的元数据存储组织结构,如将元数据单 独存储、压缩存储或者与小文件一起联合存储,由于上层是按字节寻址, 所以访问模式还是以小粒度随机I/O为主,这也并不适合SSD。
现有的针对特定负载所设计的SSD存储系统,根据SSD的I/O特性 做针对性的优化,例如通过写缓冲区将小粒度随机写转化成大粒度顺序 写,充分发挥SSD的性能并保证其使用寿命。但这类系统在设计实现上依 赖于负载特征,并根据这些特征做了很多简化。由于机群文件系统的元数 据存储系统有自己的性能需求和I/O负载特征,所以这些系统也不能直接 应用到元数据存储中。
现有的采用DRAM+SSD+HDD三层存储的存储系统,一般有三种设 计策略:SSD做HDD的缓冲、HDD作SSD的写缓冲和数据分别放置在 SSD和HDD上。对于第一和第三种策略,由于SSD会接受大量小粒度随 机I/O而造成快速磨损,所以SSD的使用寿命得不到保证。第二种将HDD 作为SSD写缓冲的策略,对于机群文件系统的元数据存储应用来说,主要 有两个问题:一是数据最终放到SSD上,当数据规模很大时,需要大量 SSD,这样增加了系统造价;二是HDD作为写缓冲,有可能有部分元数 据读请求会发往HDD,这样就大大提高元数据读请求时延,读操作是个 同步操作,读请求时延过大会影响这个系统的性能,因此,该第二种策略 也不能满足机群文件系统的元数据存储系统的需求。
发明内容
因此,本发明的目的在于克服上述现有技术的缺陷,提供用于机群文 件系统中元数据存储系统和管理方法,在解决HDD引起的性能瓶颈的同 时,既充分发挥SSD的性能优势,又保证了SSD的使用寿命。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一方面,本发明提供了一种用于机群文件系统中的元数据存储系统, 该系统包括DRAM和SDD;
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