[发明专利]电抗器

说明书

技术领域

本发明涉及一种电抗器。

背景技术

在传统设计方案中，整体铁芯使用取向硅钢片，再加上取向硅钢的低饱和磁密的局限性，电抗器的实际磁密Bm比较低，所以产品的线性度较差(一般1.2倍)，产品的体积、重量比较大，成本比较高。用取向硅钢制作的电抗器，主要适用于低频领域，仅对低次谐波有比较明显的效果，当系统电路中存在高次谐波或高频直流分量时，取向硅钢电抗器的滤波效果不明显，而且容易产生噪音，铁芯柱发热很高，功率损耗增大。用取向硅钢制作的电抗器，在制作过程中，大部分依靠手工叠片的操作，工艺复杂，生产效率低下。

目前取向硅钢片的加工方法一般采用单片冲压的方式，硅钢片的毛刺比较大，片与片之间存在不可避免的尺寸误差，再加上电抗器制作过程中，采用手工叠片的方式，最终加工成的块状铁芯厚度不均，造成电抗器的气隙高度的不稳定，以致电抗器的性能的一致性较差。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种能够降低噪音、提高产品线性度及一致性、降低功率消耗、使用寿命长的电抗器。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种电抗器，包括上铁芯、下铁芯及设置在上铁芯、下铁芯之间的纳米晶铁芯柱，所述纳米晶铁芯柱外层包覆有抗拉伸层，纳米晶铁芯柱上设置有若干道气隙。

在本发明一个较佳实施例中，所述上铁芯、下铁芯和纳米晶铁芯柱之间通过焊接连接。

在本发明一个较佳实施例中，所述纳米晶铁芯柱上设置有三道气隙。

在本发明一个较佳实施例中，所述气隙间采用高温固化胶粘结。

在本发明一个较佳实施例中，所述抗拉伸层与纳米晶铁芯柱之间通过树脂浇筑层粘接。

在本发明一个较佳实施例中，所述上铁芯、下铁芯为电工硅钢铁芯。

本发明的有益效果是：本发明采用纳米晶铁芯柱，缩小了产品的体积，降低了产品的功率损耗，提高了产品的线性度、一致性、抗高频直流载波的能力；纳米晶铁芯柱外层通过树脂浇筑层包覆有抗拉伸层，使得电抗器震动明显减小，噪声显著降低，同时，树脂浇筑层还具有良好的耐热性，其玻璃化温度高，在180℃以下不会变软，而由电抗器的纳米晶铁芯柱发热引起的温升达不到树脂浇筑层的玻璃化温度，因此从本质上解决了树脂浇筑层变软问题，保证了电抗器产品的质量。

附图说明

图1是本发明电抗器一较佳实施例的立体结构示意图；

附图中各部件的标记如下：1、上铁芯，2、下铁芯，3、铁芯柱，4、抗拉伸层，5、树脂浇筑层，6、气隙。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参阅图1，本发明实施例包括：

一种电抗器，包括上铁芯1、下铁芯2及设置在上铁芯1、下铁芯2之间的纳米晶铁芯柱3，所述纳米晶铁芯柱3外层包覆有抗拉伸层4，纳米晶铁芯柱3上设置有若干道气隙6。

所述上铁芯1、下铁芯2为电工硅钢铁芯，上铁芯1、下铁芯2和纳米晶铁芯柱3之间通过焊接连接，纳米晶铁芯柱3上设置有三道气隙6，所述气隙6间采用高温固化胶粘结。

与传统的设计方案相比，用纳米晶作为电抗器的铁芯柱，提高了电抗器的整体设计磁密，缩小了产品的体积10％以上，降低了产品的材料成本。而且降低了产品的损耗20％以上，提高了产品的线性度(一般1.4倍以上)，增加了产品的抗高频直流载波的能力。同时使用低成本的电工硅钢片，作为电抗器的顶部、底部材料，起到了整个电抗器的固定作用，也进一步降低了整个产品的成本。而且纳米晶可以直接制作成需要的块状铁芯，无需另外叠片，至少提高30％的生产效率，降低了生产成本。因其一次成型的加工工艺，铁的切断面非常整齐，有效的控制了产品气隙的高度，提高了批量产品性能的一致性。三道气隙6的结构使气隙分段，有效地降低了损耗，并且提高了电抗器的抗高频能力。

纳米晶铁芯柱3外层通过树脂浇筑层5粘接有抗拉伸层4，使得电抗器震动明显减小，噪声显著降低，同时，树脂浇筑层5还具有良好的耐热性，其玻璃化温度高，在180℃以下不会变软，而由电抗器的纳米晶铁芯柱3发热引起的温升达不到树脂浇筑层5的玻璃化温度，因此从本质上解决了树脂浇筑层5变软问题，保证了电抗器产品的质量，延长了电抗器的使用寿命。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。