[发明专利]反应处理装置与反应处理方法

权利要求书

1.一种反应处理装置，包括温度控制部，所述温度控制部控制反应区域组的外周边缘部位的温度。

2.根据权利要求1所述的反应处理装置，

其中，所述温度控制部是布置在所述反应区域组的所述外周边缘部位处的第一温度控制部，

所述反应处理装置包括：

反应温度控制部，所述反应温度控制部包括：

所述第一温度控制部；以及

平面型第二温度控制部，

并且，所述第一温度控制部和所述第二温度控制部彼此相对地布置，所述反应区域组位于其间。

3.根据权利要求2所述的反应处理装置，其中，所述第一温度控制部的形状为矩形框状。

4.根据权利要求2所述的反应处理装置，其中，所述反应区域组布置在基片中，并且

所述第一温度控制部和所述第二温度控制部与所述基片接触。

5.根据权利要求4所述的反应处理装置，其中，所述第一温度控制部的框体部分的外周部位和/或内周部位的各边设置有一个或多个切口。

6.根据权利要求5所述的反应处理装置，其中，所述一个或多个切口设置在所述外周部位的角落中和/或所述内周部位的边的中心部位中。

7.根据权利要求2所述的反应处理装置，其中，反应区域用作核酸扩增反应的反应位点，并且

所述反应处理装置进一步包括：

照射部，被构造为用光照射所述反应区域；以及

检测部，被构造为检测来自所述反应区域的光。

8.根据权利要求1所述的反应处理装置，其中，所述温度控制部的形状为平板状，并且在对应于所述反应区域组中的每个反应区域的部位处具有透光开口部。

9.根据权利要求8所述的反应处理装置，

其中，所述反应区域组布置在基片中，并且

具有所述开口部的所述温度控制部与所述基片接触。

10.根据权利要求9所述的反应处理装置，其中，具有所述开口部的所述温度控制部设置在所述基片和热隔离部之间，该热隔离部阻止热量从所述温度控制部释放。

11.根据权利要求10所述的反应处理装置，

其中，具有所述开口部的所述温度控制部具有形成在遮光体中的所述开口部，并且

所述反应处理装置进一步包括：

照射部，被构造为用光照射所述反应区域；以及

检测部，被构造为检测来自所述反应区域的光。

12.根据权利要求11所述的反应处理装置，包括：

两个具有所述开口部的所述温度控制部，这两个温度控制部彼此相对地布置，所述反应区域组位于其间。

13.一种反应处理方法，其中，通过温度控制部控制反应区域组的外周边缘部位的温度，从而控制所述反应区域组的温度，所述温度控制部至少布置在所述外周边缘部位处。

14.根据权利要求13所述的反应处理方法，

其中，所述温度控制部是布置在所述反应区域组的所述外周边缘部位处的第一温度控制部，并且

所述第一温度控制部和平面型第二温度控制部彼此相对地布置，所述反应区域组位于其间，并且，所述第一温度控制部和所述平面型第二温度控制部彼此配合，以控制所述反应区域组的温度。

15.根据权利要求14所述的反应处理方法，其中，一个或多个切口设置在所述第一温度控制部的框体部分的外周部位和/或内周部位中，以抑制局部加热。

16.根据权利要求13所述的反应处理方法，其中，利用在对应于所述反应区域组中的每个反应区域的部位处具有透光开口部的平板状温度控制部，通过在控制所述外周边缘部位的温度的同时抑制所述反应区域组中的局部加热来控制所述反应区域组的温度。