[发明专利]RFCMOS射频相关性噪声的模型

权利要求书

1.一种RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于，RFCMOS射频相关性噪声的模型在BSIM模型中的MOS晶体管电路的基础上增加了噪声源电路，所述噪声源电路包括：栅极感应噪声电流源、栅极漏电流散弹噪声电流源、栅极寄生电阻热噪声电压源、源极寄生电阻热噪声电压源、漏极寄生电阻热噪声电压源、沟道热噪声电流源、源极衬底寄生二极管散弹噪声电流源、漏极衬底寄生二极管散弹噪声电流源、衬底网络寄生电阻热噪声电压源。

2.如权利要求1所述RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于：所述栅极寄生电阻热噪声电压源产生的噪声大小为4kTR_g；

所述源极寄生电阻热噪声电压源产生的噪声大小为4kTR_d；

所述漏极寄生电阻热噪声电压源产生的噪声大小为4kTR_s；

其中，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，R_g为栅极寄生电阻的阻值，R_d源极寄生电阻的阻值，R_s为漏极寄生电阻的阻值。

3.如权利要求1所述RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于：所述栅极漏电流散弹噪声电流源产生的噪声大小为2qI_g；

所述源极衬底寄生二极管散弹噪声电流源产生的噪声大小为2qI_sb；

所述漏极衬底寄生二极管散弹噪声电流源产生的噪声大小为2qI_db；

其中，q为单位电荷，I_g为栅极漏电流，I_sb为源极衬底寄生二极管的漏电流，I_db为漏极衬底寄生二极管的漏电流。

4.如权利要求1所述RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于：所述沟道热噪声电流源产生的噪声大小为4kTg_m×A，k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；g_m为输出跨导；A为拟合参数，取值范围为0＜A＜1。

5.如权利要求1所述RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于：所述栅极感应噪声电流源产生的噪声大小为k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；g_m为输出跨导；ω为角频率；C_gs为栅极与源极的耦合电容；B为拟合参数，取值范围为0＜B＜1。

6.如权利要求4或5所述RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于：所述沟道热噪声电流源和所述栅极感应噪声电流源为相关噪声源，都包含有相同的噪声成分因子4kTg_m，该相同噪声成分因子4kTg_m由同一个噪声源产生；定义一个虚拟噪声电流源，产生的噪声大小为4kTg_m，将所述沟道热噪声电流源和所述栅极感应噪声电流源的噪声值中的4kTg_m由所述虚拟噪声电流源替代。

7.如权利要求1所述RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于：所述衬底网络寄生电阻热噪声电压源为一5电阻噪声网络、或为一3电阻噪声网络；所述衬底网络寄生电阻热噪声电压源中每个电阻产生的噪声大小为4kTR_Bi，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，R_Bi分别为5电阻噪声网络或3电阻噪声网络中的噪声电阻的阻值。

8.如权利要求1所述RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于：所述栅极感应噪声电流源、所述栅极漏电流散弹噪声电流源、所述栅极寄生电阻热噪声电压源所处的节点位置能够互换。

9.如权利要求1所述RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于：所述栅极漏电流散弹噪声电流源能够不设置。

10.如权利要求1所述RFCMOS射频相关性噪声的模型，其特征在于：所述衬底网络寄生电阻热噪声电压源能够不设置。