[发明专利]一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法，其特征在于该方法的具体步骤是：

步骤(1).将重量份数为1.0～6.0份的增塑剂、0.1～3.0份的热稳定剂、0.1～1.0份的润滑剂、0.05～0.5份的无机氧化物，在35～50℃下机械搅拌1～24小时，得到混合均匀的助剂；

所述的增塑剂为环己烷二羧酸二异壬基酯、环氧树脂EPON828、磷酸二苯基辛基酯、二丙二醇二苯甲酸酯、聚（1，3丁二醇/1，2丙二醇）己二酸酯、磷酸三氯乙酯、双（2-乙基，己基）异钛酸酯、顺丁烯二酸二丁酯、癸二酸二丁酯、癸二酸二辛酯、己二酸二辛酯、柠檬酸三丁酯、乙酰基柠檬酸三丁酯中的一种或者任意几种的混合物；

所述的热稳定剂为羧酸巯基乙酯锑、二月桂酸二正辛基锡、水滑石、环氧大豆油、环氧亚麻油中的一种或者任意几种的混合物；

所述的润滑剂为硬脂酸酯、硬脂酸钙、硬脂酸钠、硬脂酸镁、硬脂酸锌中的一种或者任意几种的混合物；

所述的无机氧化物为滑石粉、碳酸钙、氧化钛、氧化硅、蒙脱土、高岭土中的一种或者任意几种的混合物；

步骤(2).将聚偏氯乙烯树脂加入到螺条式混合机中，开启混合机，并匀速升温；当温度升至40～60℃时，将助剂加入到螺条式混合机中，加入助剂的重量为聚偏氯乙烯树脂重量的1.0～10.0%；继续搅拌升温至70～90℃后，开始匀速降温，冷却至40～60℃后出料，所出物料为改性聚偏氯乙烯树脂；将改性聚偏氯乙烯树脂自然冷却至常温，装袋后置于在20～30℃的恒温环境中熟化5～10天，得到熟化的改性PVDC树脂；

所述的聚偏氯乙烯树脂的重均分子量为10～18万，为偏氯乙烯与氯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、富马酸、马来酸酐、甲基丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸聚乙二醇酯其中之一的共聚物，其中偏氯乙烯链段在PVDC树脂中的质量含量为75～95%；

步骤(3).通过单螺杆挤出机对已经熟化的改性PVDC树脂进行吹塑，得到管坯；管坯冷却温度2～8℃，管坯预热温度10～20℃，管坯预热后经过四级牵引后形成聚偏氯乙烯薄膜。

2.如权利要求1所述的一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法，其特征在于：步骤(2)中加入助剂的重量为聚偏氯乙烯树脂重量的2.0～6.0%。

3.如权利要求1所述的一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法，其特征在于：步骤(2)中匀速升温的速度为0.5～1.5℃/分钟，匀速降温的速度为1～3℃/分钟。

4.如权利要求1所述的一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法，其特征在于：所述的聚偏氯乙烯树脂的重均分子量为11～15万，为偏氯乙烯和氯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯的共聚物，偏氯乙烯链段在PVDC树脂中的质量含量为80～90%。

5.如权利要求1所述的一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法，其特征在于步骤(3)中吹膜过程中的具体工艺参数为：单螺杆挤出机加工区间中一区120～130℃、二区155～165℃、三区150～164℃、法兰155～160℃、转换器150～160℃、模体150～160℃、模头唇155～165℃，单螺杆转速20～50转/分钟。

6.如权利要求1所述的一种消除晶点、提高阻隔的PVDC薄膜的制造方法，其特征在于步骤(3)中所述的四级牵引具体是：第一级牵引为轴向拉伸，拉伸比为0.8～1.2；第二级牵引为吹胀牵引，轴向的拉伸比为2.5～4.0，径向的拉伸比为2.0～5.0；第三级牵引为轴向拉伸，拉伸比为1.0～1.3；第四级牵引为轴向拉伸，拉伸比为1.1～1.4。