[发明专利]一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110343728.0 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102683572A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张欣;赵勇;程翠华;张勇;雷鸣;王文涛 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 张澎 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双轴织构 niw 合金 基片上 制备 高温 超导 涂层 导体 nio smbio3 复合 | ||
1.一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法，其复合缓冲层制备步骤包含：
a、NiW合金基片的表面腐蚀修饰：将退火处理后双轴织构NiW合金基片，先后经过酒精，丙酮清洗后，在稀释后浓度为30％-50％的硝酸溶液中悬空浸渍40-120s，取出洗净，晾干。再将其在150体积的双氧水和1-4体积氨水的配置的混合修饰液中悬空浸渍20-60s，取出，洗净，晾干；
b、氧化热处理：将管式气氛烧结炉快速升温到740-800℃，当温度和通入气氛气流量稳定后，再将腐蚀修饰后的NiW合金基片推入炉中，当基带在炉中的时间达到20-50分钟后，将氧化后的基带从炉中推出，冷却至室温；
c、SmBiO3缓冲层胶体制备：将前驱物Sm和Bi的硝酸盐按离子浓度1∶1溶于适量的聚丙烯酸PAA中，得到有机物体系的溶液中离子浓度约为c(Sm3+)＝c(Bi3+)＝0.20M；
d、SmBiO3缓冲层涂敷，干燥与分解：将c步制得的胶体涂覆在制得的NiO缓冲层上，进行干燥；再将其置于烧结炉中，使炉温从室温缓慢升至180℃-230℃，并以0.1-2℃/min的速度升至在280℃-300℃，然后再以0.1-1℃/min的速度升至480℃-500℃，保温0.5小时；
e、烧结成相：将上述d步所制得的基片放入烧结炉中，在空气中将炉温快速以10-100℃/min的速度升至770℃-810℃，保温1-1.5小时；再让炉温缓慢降至室温，最终得到NiO/SmBiO3复合缓冲层。
2.如权利要求1所述的一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法，其特征是：所述b步中氧化热处理的具体做法为：将管式气氛烧结炉快速升温到所述温度，当温度和通入气氛的气流量稳定后，再将腐蚀修饰后的NiW合金基片推入炉中，当基片在炉中的时间达到所述氧化热处理的时间后，将氧化后的基片从炉中推出，冷却至室温。
3.如权利要求1所述的一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法，其特征是，所述d步中，胶体涂覆在制得的NiO缓冲层基片上的具体作法为：将胶体滴在基片上，用匀胶机旋转，使胶体均匀涂敷在基片上。
4.如权利要求1所述一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法，其特征是，所述d步中干燥时的温度为100℃-200℃干燥。
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