[发明专利]一种共格/半共格结构的Al/W 多层膜制备方法无效
| 申请号： | 201110340169.8 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102409309A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 黄平;谢继阳;王飞;乐薇;徐可为 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半共格 结构 al 多层 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种共格/半共格结构的Al/W多层膜制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：
1)将单面抛光单晶硅基片分别用丙酮和酒精超声清洗15～30分钟，经吹干后，放入真空磁控溅射设备基片台上，准备镀膜；
2)将需要溅射的金属靶材安置在靶材座上，通过调整中电源的功率控制靶的溅射率；采用Ar作为主要离化气体，保证有效的辉光放电过程；
3)硅片溅射沉积时，采用直流和射频电源，溅射过程中，先在硅基体上用直流电源镀一层5-10纳米的钨层，以这层钨层作为铝层生长的模板，在上面用射频电源镀一层1-2纳米的铝层，这样交替沉积钨层和铝层形成多层膜，最终达到所需的厚度和层数；
4)薄膜中铝层和钨层的比例，通过镀膜过程中钨层和铝层的特征厚度比例进行调节。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的铝层和钨层特征厚度为1-5纳米，特征沉积速率为钨层每分钟5纳米，铝层每分钟2.5纳米。
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