[发明专利]热伏电池无效
| 申请号： | 201110336280.X | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102354728A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 伏忠坤;谢素华;罗朝晖 | 申请（专利权）人： | 伏忠坤;谢素华;罗朝晖 |
| 主分类号： | H01L35/00 | 分类号： | H01L35/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 621004 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电池 | ||
1.热伏电池，其特征在于它包含n+半导体引出电极(1)、金属层引出电极(2)、p+半导体引出电极(3)、p+半导体区(4)、金属层(5)、绝缘层(6)、n+半导体区(7)和内建电场区(8)，p+半导体区(4)和n+半导体区(7)之间是自发形成的内建电场区(8)，p+半导体引出电极(3)与p+半导体区(4)相连，n+半导体引出电极(1)与n+半导体区(7)相连，内建电场区(8)下方依次设置有绝缘层(6)和金属层(5)，金属层引出电极(2)与金属层(5)相连，它利用两层不同费米能级或不同功函数的材料形成内建电场，在金属层上加上电压，将载流子吸引到内建电场区域，产生电动势。
2.根据权利要求1所述的热伏电池，其特征在于它包含n+半导体引出电极(1)、p+半导体引出电极(3)、p+半导体区(4)、n+半导体区(7)和内建电场区(8)，p+半导体区(4)和n+半导体区(7)中间是自发形成的内建电场区(8)，p+半导体引出电极(3)与p+半导体区(4)相连，n+半导体引出电极(1)与n+半导体区(7)相连，它利用两层不同费米能级或不同功函数的材料形成内建电场，利用热激发价电子产生自由电子——空穴对，产生电动势。
3.根据权利要求2所述的热伏电池，其特征在于所述的内建电场区(8)掺入深能级杂质。
4.根据权利要求1所述的热伏电池，其特征在于所述的p+半导体区(4)和n+半导体区(7)上设置有引出电极的高掺杂扩散层。
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