[发明专利]集成电路设计过程中单节点并行自动修复保持时间违例的方法有效
申请号: | 201110333286.1 | 申请日: | 2011-10-27 |
公开(公告)号: | CN102332048A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 左丰国 | 申请(专利权)人: | 山东华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人: | 罗永娟 |
地址: | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路设计 过程 节点 并行 自动 修复 保持 时间 违例 方法 | ||
技术领域
本发明属于超大规模集成电路设计、制造技术领域,尤其是一种集成电路设计过程中单节点并行自动修复保持时间违例的方法。
背景技术
在现代大规模集成电路设计过程中,自动布局布线工具会主动的尝试修复保持时间违例。但是在复杂时钟域的高频大规模集成电路设计中,现有的工具对于在自动布局布线过程中修复保持时间违例的处理上能力有限。一般情况下,需要大量的人力做长时间反复的修复工作,此项工作会可观的耗费芯片设计产出周期。
人工手动修复保持时间违例的方法在现代大规模集成电路设计过程中也会被采用,但是展开此项工作的前提是电路时钟域较为简单且保持时间违例的数目不是很多的情况,并且人工修复工作往往只能对保持时间违例路径逐一分析修复。当电路时钟域较为复杂时,人工修复保持时间违例的工作量就会倍增。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供一种集成电路设计过程中单节点并行自动修复保持时间违例的方法,该方法能够自动并行高效的修复保持时间违例,能够缩短大规模集成电路设计过程中保持时间修复的周期,从而缩短芯片设计周期。
本发明的目的是通过以下技术方案来解决的:
一种集成电路设计过程中单节点并行自动修复保持时间违例的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)对于每一条存在保持时间违例的时序路径,提取其建立时间裕度最大的节点,将所有的提取的节点按建立时间裕度的值由大到小汇总为一个列表;
2)判断上步骤产生的列表是否为空;如是,则报告电路保持时间违例不可修复,如否则执行下一步;
3)设定列表的第一个元素为操作对象
4)依次考察列表中操作对象之后的所有元素,去除与操作对象相关的所有元素,所述相关,是指两个元素共属于某一条建立时间路径,重新整理列表,设定下一个元素为操作对象;
5)重复步骤4),直到所有的列表元素都不具备相关性;
6)根据列表中元素的值在相应的节点处插入缓冲单元;
7)选择是否做下一轮的保持时间违例修复;如是,则更新电路的时序信息;如否则报告保持时间违例修复完毕。
在以上所述步骤1)中:首先列出所有保持时间违例的路径;然后逐一分析每条保持时间违例时序路径上各个多输入单元相关引脚节点的建立时间裕度;最后取出每条保持时间违例时序路径上建立时间裕度的最大值及相关节点,由大到小汇总为一个列表。
上述步骤4)具体按照以下步骤进行:
S41、设定列表中第一个节点为考察对象,如列表只有一个节点,则直接转向S45步骤;
S42、检查考察对象与其后下一个节点是否同属于同一个建立时间路径:如是,从列表中删除该节点;如否,保留该节点;
S43、重复S42直到完成考察对象与列表中其他所有节点的相关性检查;
S44、设定列表下一个节点为考察对象,如其为列表最后一个节点,则直接转向S45,否则转向S42;
S45、根据列表中保留的节点的建立时间裕度的值,准备在各个节点处插入对应数目的缓冲单元。
以上步骤6)具体为:
S61、根据节点信息选定合适的缓冲单元;
S62、考察缓冲单元的延迟时间参数;
S63、将列表中节点对应的值除以缓冲单元的时间参数,将商的值取整保存;
S64、按照商的取整后的数值在相应的电路节点处插入缓冲单元。
在以上的S63中,当对商的值取整时,只舍不入。
本发明具有以下有益效果:
本发明通过对整个电路的整体分析,能并行、高效的插入缓冲单元以修复保持时间违例。相对于现有的单个路径逐一分析修复保持时间违例的方法,本发明提供的方法能够极大的缩短大规模集成电路设计过程中保持时间修复的周期,从而缩短芯片设计周期。
附图说明
图1为本发明的详细流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步详细描述:
参见图3,本发明的集成电路设计过程中单节点并行自动修复保持时间违例的方法,包括以下步骤:
1)对于每一条存在保持时间违例的时序路径,提取其建立时间裕度(setup time margin)最大的节点,将所有的提取的节点按建立时间裕度的值由大到小汇总为一个列表;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华芯半导体有限公司,未经山东华芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110333286.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种散热片之间有T型缺口的引线框架
- 下一篇:玻璃基板搬运载具