[发明专利]单片双轴桥式磁场传感器有效
| 申请号： | 201110315913.9 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102435963A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;雷啸锋;薛松生 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单片 双轴桥式 磁场 传感器 | ||
1.一种单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：它包括一沿“Y”轴方向敏感的参考桥式传感器和一沿“X”轴方向敏感的推挽桥式传感器，所述参考桥式传感器包括参考元件和传感元件，所述推挽桥式传感器包括传感元件，其中 “X”轴和“Y”轴相正交。
2.根据权利要求1所述的单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：所述参考桥式传感器为参考全桥传感器，所述推挽桥式传感器为推挽全桥传感器。
3.根据权利要求2所述的单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：它还包括一用于偏置的永磁体以设置所述参考全桥传感器的参考元件和传感元件之间的灵敏度差和所述推挽全桥传感器的传感元件的自由层磁化方向。
4.根据权利要求2所述的单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：所述参考全桥传感器的参考元件和传感元件具有磁各向异性的形状以设置它们之间的灵敏度差，所述推挽全桥传感器的传感元件具有磁各向异性的形状以设置其自由层磁化方向。
5.根据权利要求2所述的单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：它还包括一用于偏置的永磁体，所述参考全桥传感器的参考元件和传感元件以及所述推挽全桥传感器的传感元件具有磁各向异性的形状，永磁体产生的磁偏置场和磁各向异性的形状的磁各向异性能的结合以设置所述参考全桥传感器的参考元件和传感元件之间的灵敏度差和所述推挽全桥传感器的传感元件的自由层磁化方向。
6.根据权利要求1所述的单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：所述参考桥式传感器为参考半桥传感器，所述推挽桥式传感器为推挽半桥传感器。
7.根据权利要求6所述的单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：它还包括一用于偏置的永磁体以设置所述参考半桥传感器的参考元件和传感元件之间的灵敏度差和所述推挽半桥传感器的传感元件的自由层磁化方向。
8.根据权利要求6所述的单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：所述参考半桥传感器的参考元件和传感元件具有磁各向异性的形状以设置它们之间的灵敏度差，所述推挽半桥传感器的传感元件具有磁各向异性的形状以设置其自由层磁化方向。
9.根据权利要求6所述的单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：它还包括一用于偏置的永磁体，所述参考半桥的参考元件和传感元件以及所述推挽半桥传感器的传感元件具有磁各向异性的形状，永磁体产生的磁偏置场和磁各向异性的形状的磁各向异性能的结合以设置所述参考半桥传感器的参考元件和传感元件之间的灵敏度差和所述推挽半桥传感器的传感元件的自由层磁化方向。
10.根据权利要求1所述的单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：所述参考桥式传感器包括一用于包覆住参考元件的屏蔽层以降低参考元件的灵敏度，所述屏蔽层为高磁导率的铁磁材料。
11.根据权利要求1所述的单片双轴桥式磁场传感器，其特征在于：所述参考桥式传感器的传感元件周边设置有高磁导率的铁磁材料以增加传感元件的灵敏度。
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