[发明专利]一种居里点大于120℃的无铅PTCR热敏陶瓷电阻材料

权利要求书

1.一种居里点大于120℃的无铅PTCR热敏陶瓷电阻材料，其特征是，所述的材料的基体成分为：(Bi_1x/2K_x/2)(Mg_1/2x/2Ti_1/2+x/2)O₃，其中0.01≤x≤0.95。

2.根据权利要求1所述的无铅PTCR热敏陶瓷电阻材料，其特征是，形成所述的材料的基体成分的原材料为含Bi、K、Mg和Ti元素的氧化物、无机盐或有机盐。

3.根据权利要求1所述的无铅PTCR热敏陶瓷电阻材料，其特征是，所述的材料中含有半导化元素Sb、Nb、Ta、V、Mo、W中的至少一种；半导化元素占Mg和Ti总摩尔数的摩尔百分数为0.01～0.55％。

4.根据权利要求3所述的无铅PTCR热敏陶瓷电阻材料，其特征是，形成所述的半导化元素的原材料为含Sb、Nb、Ta、V、Mo、W中至少一种的氧化物、无机盐或有机盐。

5.根据权利要求1所述的无铅PTCR热敏陶瓷电阻材料，其特征是，所述的材料中含有B、Na、Li、Zn、Cu、Si、Al、Mn、P元素中的至少一种的氧化物，其原材料为用作助烧和改善电阻温度特性的含B、Na、Li、Zn、Cu、Si、Al、Mn、P元素中的至少一种的氧化物、无机盐或有机盐；原材料的添加量不超过本发明基体成分材料质量的4％。