[发明专利]一种电流偏置电路有效
| 申请号： | 201110307607.0 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103049026A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李丹;朱红卫;胡冠斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/46 | 分类号： | G05F1/46 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 偏置 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种电流偏置电路，其特征是，包括：9个PMOS管编号为PM1至PM9，7个NMOS管编号为NM1至NM7和1个电阻R；
PM1其源极连接PM2和PM7的源极，其栅极连接NM3的漏极和PM7的栅极，其漏极连接PM3的源极；
PM2其栅极连接PM3的漏极，其漏极连接PM4的源极；
PM3其栅极连接PM4、PM8、PM9的栅极和PM8、NM5的漏极，其漏极通过电阻R连接NM3的漏极；
PM5其源极、漏极和体短接后连接PM6的源极，其栅极连接NM1的栅极；
PM6其源极、漏极和体短接，其栅极连接NM3的栅极；
PM7其漏极连接PM9的源极，PM9其漏极连接NM6的漏极；
NM1至NM7其各自的源极与其各自的栅极短接；
NM1其源极接地，其栅极连接NM2至NM7的栅极和PM4的漏极，其漏极连接NM3的源极。
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