[发明专利]光刻设备

权利要求书

1.一种用于包含能够产生化学放大作用的第一组分和第二组分的光致抗蚀剂的光刻设备，包括：

第一曝光设备，用于使用第一波段的光对涂覆在衬底上的光致抗蚀剂的表面上的选定区域进行选择性照射，使得所述第一组分产生第一化学物质；以及

第二曝光设备，用于使用第二波段的光对所述光致抗蚀剂的表面的所有区域进行均匀照射，使得所述第二组分产生第二化学物质，其中所述第二波段不同于所述第一波段，所述第二化学物质能够与所述第一化学物质发生反应，从而降低所述第一化学物质在光致抗蚀剂中的质量浓度。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一曝光设备包括：

第一光源，用于发射第一波段的光；以及

第一曝光光学器件，用于将所述第一波段的光通过掩模之后形成的光学图案成像到所述光致抗蚀剂表面，以限定所述光致抗蚀剂表面的选定区域。

3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第二曝光设备包括：

第二光源，用于发射第二波段的光；和

第二曝光光学器件，用于将所述第二波段的光投射到所述光致抗蚀剂的表面的所有区域。

4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中，所述第二曝光光学器件包括：

光束均质器，其中所述第二波段的光经所述光束均质器后变为强度分布均匀的光；和

限制光束孔径的光学元件。

5.根据权利要求3所述的光刻设备，其中，所述第二光源包括波长选择器，所述波长选择器从所述第二光源发射的光中选择所述第二波段的光。

6.根据权利要求3所述的光刻设备，其中，所述第二曝光设备还包括曝光控制器，所述曝光控制器通过设定所述第二曝光设备的曝光时间和光强来控制所述第二曝光设备的曝光剂量。

7.根据权利要求6所述的光刻设备，其中，所述第二曝光设备还包括连接到所述曝光控制器的光强闭环控制器，所述光强闭环控制器通过确定所述第二波段的光的光强与设定光强之差是否超过预定阈值来控制所述第二波段的光的光强。

8.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第二曝光设备连接到所述第一曝光设备，通过所述第一曝光设备的操作触发所述第二曝光设备的操作。

9.根据权利要求8所述的光刻设备，其中，所述第二曝光设备使用所述第二波段的光的均匀照射与所述第一曝光设备的选择性照射同时进行。

10.根据权利要求8所述的光刻设备，其中，所述第二曝光设备使用所述第二波段的光的均匀照射紧接在所述第一曝光设备的选择性照射之后进行。

11.根据权利要求2所述的光刻设备，还包括校准设备，所述校准设备用于使所述衬底和所述掩模对准。

12.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述第二曝光设备连接到所述校准设备，通过所述校准设备的操作触发所述第二曝光设备的操作。

13.根据权利要求12所述的光刻设备，其中，所述第二曝光设备使用所述第二波段的光的均匀照射在所述第一曝光设备的选择性照射之前进行。

14.根据权利要求12所述的光刻设备，其中，所述第二曝光设备使用所述第二波段的光的均匀照射与所述校准设备的校准同时进行。

15.根据权利要求12所述的光刻设备，其中，所述第二曝光设备使用所述第二波段的光的均匀照射紧接在所述校准设备的校准之后进行。

16.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述光致抗蚀剂还包括基质树脂，所述第一化学物质能够与所述基质树脂发生反应以形成潜像。

17.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一组分是光致产酸剂，并且所述第一化学物质是光酸。

18.根据权利要求17所述的光刻设备，其中，所述第二组分是光致产碱剂，并且所述第二化学物质是光碱。

19.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一组分是光致产碱剂，并且所述第一化学物质是光碱。

20.根据权利要求19所述的光刻设备，其中，所述第二组分是光致产酸剂，并且所述第二化学物质是光酸。