[发明专利]基于石墨烯的场发射三极结构有效
| 申请号： | 201110293192.6 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102339699A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 雷威;张晓兵;李驰;娄朝刚;崔一平;陈静 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J1/46 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 发射 三极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于石墨烯的场发射三极结构，其特征在于：该场发射三极结构包括阴极基板（1）、位于阴极基板（1）上的支撑体(7)、位于支撑体（7）上且与阴极基板（1）平行的阳极(8)，阴极基板（1）、支撑体（7）和阳极（8）构成一封闭的空腔；
该场发射三级结构还包括位于所述封闭的空腔内的阴极电极（2）、用于发射电子束（9）的场致发射体(3)、绝缘介质层(4)、栅极电极(5)、石墨烯(6)；其中，
在阴极基板(1)上设有带介质膜孔的绝缘介质层(4)，阴极电极（2）设在阴极基板（1）上且位于所述介质膜孔内，场致发射体(3)设在阴极电极（2）上，在绝缘介质层(4)上设有带栅极膜孔的栅极电极(5)，石墨烯(6)位于栅极电极（5）上并覆盖栅极膜孔；
场致发射体(3)发射出的电子束（9），通过栅极电极(5)的电场作用，穿过石墨烯层(6)，并在阳极电场的作用下轰击到阳极(8)。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯的场发射三极结构，其特征在于：介质膜孔和栅极膜孔的宽度一致。
3.根据权利要求1所述的基于石墨烯的场发射三极结构，其特征在于：石墨烯(6)为单层或双层石墨烯，石墨烯(6)的厚度小于10nm。
4. 根据权利要求1所述的基于石墨烯的场发射三极结构，其特征在于：场致发射体(3)为金属微尖、硅尖、碳纳米管、纳米氧化锌中的任一种。
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