[发明专利]化学反应合成石墨烯薄膜的方法

权利要求书

1.一种化学反应合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：

1)以含碳元素的碳源材料和另一化学反应物质发生化学反应而产生活性碳原子或含碳活性基团；

2)所述的活性碳原子或含碳活性基团沉积在衬底上形成石墨烯薄膜。

2.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述的碳源材料为含有碳元素的固态碳源、液态碳源、气态碳源材料或前述碳源中任意两种或两种以上混合碳源材料。

3.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述的另一化学反应物质是指与含碳元素的碳源材料发生化学反应的物质，包括所述的含碳元素的材料或不含碳元素的材料。

4.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述的化学反应不包括通过以石墨为原料经氧化-还原反应生成还原的氧化石墨烯的方法。

5.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述的活性碳原子是指能够形成石墨烯的碳原子；所述的含碳活性基团是指带有正碳离子或负碳离子的基团。

6.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述的沉积是指将化学反应生成物从反应容器转移到所述的衬底上的过程，或所述的化学反应直接在所述的衬底上进行。

7.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述的在衬底上的形成石墨烯薄膜是指化学反应的直接产物为石墨烯薄膜，或化学反应产物经过热、微波、电子束、离子束、等离子体、激光等处理后的产物为石墨烯薄膜。

8.根据权利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于在衬底上形成的石墨烯薄膜的厚度为0.335 nm至50 nm。