[发明专利]用等离子体提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法有效
申请号: | 201110283357.1 | 申请日: | 2011-09-22 |
公开(公告)号: | CN102382648A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 陆启飞;蔡毅;王达健;仇坤;王鹏;于文慧 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79;C23C14/34;C23C14/18 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300384 天津市南*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 提高 led 荧光 光合作用 光谱 强度 方法 | ||
1.一种用等离子体提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法,其特征在于:为采用金属表面等离子体效应来提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法。
2.根据权利要求1所述采用金属表面等离子体效应来提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法,其特征在于,所述采用金属表面等离子体效应来提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法,采用发射蓝紫光的光源,蓝紫光辐照金属薄膜产生表面等离子体效应,与荧光体的发射光子相互作用,使荧光体发射的光合作用光谱强度增强,具体步骤如下:
1) 将玻璃基底放入溅射腔中,腔内气压小于2 Pa,通入氩气为保护气体,气流为2.5 l/min,通入氩气后腔内气压维持在2.8 Pa,对金属靶材进行溅射沉积,溅射电流为4 mA、溅射时间为20 -200 s,然后在纯度为99.99%的氮气气氛中进行热处理,即可制得岛状的金属纳米薄膜,热处理温度为100-300 ℃、热处理时间为10-30 mins,金属纳米薄膜的厚度为12-80 nm;
2) 将LED荧光体均匀分散在分散剂中形成荧光体溶液,超声半小时后将该荧光体溶液旋涂在置于匀胶机上的上述制备了金属纳米膜的玻璃基底上,匀胶机转速为1400转/分钟,运转时间为20-60 s,即可制得荧光体/Ag的发光体系。
3.根据权利要求2所述采用金属表面等离子体效应来提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法,其特征在于:所述金属靶材为纯度为99.99%的Ag靶材。
4.根据权利要求2所述采用金属表面等离子体效应来提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法,其特征在于:所述LED荧光体为稀土离子激活的含镁硅酸盐发光材料,其化学式为Ba3MgSi2O8: Eu2+, Mn2+,该荧光体能发射光合作用光子,构成的光合作用光谱中包含的特征峰值波长为440-460 nm的蓝光和610-660 nm的红光。
5.根据权利要求2所述采用金属表面等离子体效应来提高LED荧光体光合作用光谱强度的方法,其特征在于:所述分散剂为酒精或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),LED荧光体与分散剂的用量比为0.1g/10ml。
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