[发明专利]一种用于模拟开关的保护电路

权利要求书

1.一种用于模拟开关的保护电路，该保护电路(1)连接一模拟开关(2)，所述模拟开关(2)包括控制信号端口(EN)、输入信号端口(IO1)和输出信号端口(IO2)，所述保护电路(1)和模拟开关(2)均由电源(VDD)供电，其特征在于，所述保护电路(1)包括依次连接的第四反相器电路(101)、第五反相器电路(102)、过压限流保护电路(103)和N阱电位选择电路(104)，其中：

所述第四反相器电路(101)的输入端连接控制信号端口(EN)，接收控制信号；

所述N阱电位选择电路(104)还连接所述电源(VDD)和所述输入信号端口(IO1)，根据所述电源(VDD)电压和所述输入信号端口(IO1)的输入信号电平的变化以及相对关系，实现N阱电位的转换；

所述过压限流保护电路(103)还连接所述电源(VDD)，在所述输入信号端口(IO1)的输入信号电平大于所述电源(VDD)电压的情况下，实现对倒灌电流的限流；

所述过压限流保护电路(103)和N阱电位选择电路(104)的相连端为所述保护电路(1)的输出端(L1)。

2.根据权利要求1所述的用于模拟开关的保护电路，其特征在于，所述第四反相器电路(101)包括第十一PMOS管(11)和第十二NMOS管(12)，第五反相器电路(102)包括第十三PMOS管(13)和第十四NMOS管(14)，其中：

第十一PMOS管(11)的源极连接所述电源(VDD)，第十一PMOS管(11)的栅极与第十二NMOS管(12)的栅极相连的结点作为第四反相器电路(101)的输入端，第十一PMOS管(11)的漏极与第十二NMOS管(12)的漏极相连的结点作为第四反相器电路(101)的输出端，第十二NMOS管(12)的源极接地(GND)；

第十三PMOS管(13)的源极连接所述电源(VDD)，第十三PMOS管(13)的栅极与第十四NMOS管(14)的栅极相连的结点作为第五反相器电路(102)的输入端，第十三PMOS管(13)的漏极与第十四NMOS管(14)的漏极相连的结点作为第五反相器电路(102)的输出端(L3)，第十四NMOS管(14)的源极接地(GND)。

3.根据权利要求1所述的用于模拟开关的保护电路，其特征在于，所述过压限流保护电路(103)包括第十五NMOS管(15)、第十六PMOS管(16)和第十七PMOS管(17)，其中：

第十五NMOS管(15)的源极接地(GND)，其漏极与第十六PMOS管(16)的漏极的相连端与第十七PMOS管(17)的栅极相连；第十五NMOS管(15)的栅极和第十六PMOS管(16)的栅极分别连接所述第五反相器电路(102)的输出端(L3)；

第十七PMOS管(17)的源极连接所述电源(VDD)；

第十六PMOS管(16)的源极及其衬底和第十七PMOS管(17)的漏极及其衬底均连接所述保护电路(1)的输出端(L1)。

4.根据权利要求1所述的用于模拟开关的保护电路，其特征在于，所述N阱电位选择电路(104)包括第十八PMOS管(18)和第十九PMOS管(19)，其中：

第十八PMOS管(18)的漏极和第十九PMOS管(19)的栅极均连接所述电源(VDD)；

第十八PMOS管(18)的栅极和第十九PMOS管(19)漏极均连接输入信号端口(IO1)；

第十八PMOS管(18)的源极及其衬底和第十九PMOS管(19)的源极及其衬底均连接所述保护电路(1)的输出端(L1)。