[发明专利]一种LED球泡灯散热结构体

说明书

技术领域

本技术方案涉及一种LED散热领域，特别是涉及一种LED 球泡灯散热结构体。

 

背景技术

LED的基本结构是一个半导体的P-N结。一般把P-N结区的温度定义为LED的结温。结温的高低直接影响到LED出光效率，寿命等参数。因为LED芯片一般采用环氧胶封装于铝基板之上，但环氧树脂胶导热性能较差。在传统的LED技术中，LED 灯的球泡灯本体与其电路板之间，一般采用导热膏来固接，但由于导热膏的成分为高分子材料，导热系数较低，虽然其中添加了导热材料的配方组分，但导热膏的导热效果远不如金属的导热效果好。为此，本技术方案致力于研究一种能够使LED 灯的球泡灯本体与铝基板之间实现完全金属一体化的联接结构，从而大大提高LED 的散热效果。由于铝的可焊性很差，一般采用铜箔或铜板代替，以此改善它的可焊性。然而，由于铜箔的成本较高，因此，现有技术的这种做法，不利于推广应用。

发明内容

本技术方案的目的在于克服现有技术之不足，提供一种LED 球泡灯散热结构体，采用真空镀膜键合一层锡或铟的方式对球泡灯本体和铝基板之间进行键合，从而实现了接近一体化的散热结构，克服了现有技术的LED球泡灯散热效果不佳，使用寿命较短等缺点。

本技术方案解决其技术问题所采用的技术方案是：一种LED 球泡灯散热结构体，包括灯头、球泡灯本体、装有LED 的铝基板和灯罩；灯头通过绝缘塑壳与球泡灯本体的一端相固接；灯罩与球泡灯本体的另一端相固接；铝基板联接于球泡灯本体上；该球泡灯本体为铝材料制作而成的散热结构，其特征在于：铝基板中与球泡灯本体相联接的一面均匀镀上一层金属膜，球泡灯本体与铝基板相联接的一面也均匀镀上一层金属膜，在真空环境中将铝基板和球泡灯本体的金属膜加热加压键合在一起。

所述的金属膜层厚度为20-200nm。

所述膜层键合温度为200-300摄氏度。

所述膜层键合在真空条件下进行。

所述镀制的金属膜层材料可以是锡、铟。

所述膜层键合压力为10-35Kg/cm³。 

附图说明

 图1为本技术方案所述的LED 球泡灯散热结构体示意图。

具体实施方式

实施例一：将灯罩扣盖在球泡灯本体一端，将灯头通过绝缘塑胶固定在球泡灯本体的另一端 ，LED光源焊接在铝基板一面，在真空条件下，在铝基板另一面镀制一层300nm的铟膜，在球泡灯本体与铝基板相连的一面同样镀制一层300nm的铟膜，在真空条件下，将球泡灯本体与铝基板加热加压键合在一起，加热温度为300摄氏度，压力为30Kg/cm³ 。