[发明专利]集成电路高电压切换装置及其切换方法有效
申请号: | 201110254319.3 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102543185A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 洪硕男;陈张庭;洪继宇;刘增毅 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 电压 切换 装置 及其 方法 | ||
1.一种集成电路高电压切换装置,包含:
一电平转换器接收一信号,该电平转换器具有一输出提供具有一第一电压范围的一电平转换器输出电压;以及
一上拉电路与该电平转换器的该输出耦接,该上拉电路具有一输出提供具有一第二电压范围的一上拉电路输出电压。
2.根据权利要求1所述的高电压切换装置,其中该第二电压范围较该第一电压范围更宽。
3.根据权利要求1所述的高电压切换装置,其中该电平转换器包含至少一个PMOS晶体管和至少一个NMOS,且该信号输入至该至少一个PMOS晶体管。
4.根据权利要求1所述的高电压切换装置,其中该信号是一译码信号且该上拉电路的该输出提供至一存储阵列的一字线。
5.根据权利要求1所述的高电压切换装置,其中该上拉电路包含一个PMOS晶体管和一个NMOS,且该PMOS晶体管接收一触发信号以输出该上拉电路输出电压,该触发信号接收自一译码器及该电平转换器的该输出至少一者。
6.根据权利要求1所述的高电压切换装置,其中:
该电平转换器是一负电平转换器,以及
该电平转换器的该第一电压范围是由与该电平转换器耦接的一负第一偏压电压及一正第二偏压电压所设定,以及
该第二电压范围是由与该上拉电路耦接的一正第三偏压电压及该负第一偏压电压所设定;
该上拉电路包含一个PMOS晶体管和一个NMOS,且该PMOS晶体管接收一触发信号以输出该上拉电路输出电压,该触发信号接收自一译码器及该电平转换器的该输出至少一者。
7.根据权利要求6所述的高电压切换装置,其中于一擦除的选取操作时,该高电压切换装置输出一等于该正第三偏压电压的一电压。
8.根据权利要求6所述的高电压切换装置,其中于一擦除的解除选取操作时,该高电压切换装置输出一等于该负第一偏压电压的一电压。
9.根据权利要求1所述的高电压切换装置,其中:
该电平转换器输出电压的该第一电压范围,较该译码器的一译码信号还宽,且还包括该译码器所没有的一负电压大小。
10.根据权利要求1所述的高电压切换装置,其中:
该上拉电路输出电压的该第二电压范围,较该译码器的一译码信号还宽,且还包括该译码信号所没有的一负电压大小及该译码信号所没有的一正电压大小。
11.根据权利要求1所述的高电压切换装置,其中:
该上拉电路输出电压将选取或解除选取一与非门存储区块。
12.一种高电压切换方法,包含:
于一电平转换器接收一个信号;以及
自该电平转换器提供一个具有一第一电压范围的电平转换器输出信号至一上拉电路;
自该上拉电路提供具有一第二电压范围的一电压切换输出信号,该第二电压范围较该第一电压范围更宽。
13.根据权利要求12所述的方法,其中该电平转换器包含至少一个PMOS晶体管和至少一个NMOS,且该信号输入至该至少一个PMOS晶体管。
14.根据权利要求12所述的方法,其中该上拉电路包含一个PMOS晶体管和一个NMOS,且该PMOS晶体管接收一触发信号以输出该上拉电路输出电压,该触发信号接收自一译码器及该电平转换器的该输出至少一者。
15.根据权利要求12所述的方法,其中:
该电平转换器是一负电平转换器,以及
该电平转换器的该第一电压范围是由与该电平转换器耦接的一负第一偏压电压及一正第二偏压电压所设定,以及
该第二电压范围是由与该上拉电路耦接的一正第三偏压电压及该负第一偏压电压所设定。
16.根据权利要求15所述的方法,更包含于一擦除的选取操作时,该第二电压是等于该正第三偏压电压的一电压。
17.根据权利要求15所述的方法,更包含于一擦除的解除选取操作时,该第二电压是等于该负第一偏压电压的一电压。
18.根据权利要求12所述的方法,其中:
在该上拉电路接收(i)该译码信号及(ii)该电平转换器输出信号,该上拉电路提供一上拉电路输出信号至与非门存储单元的一区块。
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