[发明专利]高荧光亮度的量子点复合颗粒和免疫学检测探针及复合颗粒的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110251857.7 申请日: 2011-08-30
公开(公告)号: CN102382640A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 杨萍;于京华 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/88;C09K11/56;C09K11/70;C12N15/11;C12Q1/68;G01N33/53
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 李桂存
地址: 250022 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 荧光 亮度 量子 复合 颗粒 免疫学 检测 探针 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高荧光亮度的量子点复合颗粒,其特征是:在一个或多个量子点表面包覆上一层二氧化硅壳形成复合颗粒,所述复合颗粒直径为5~100 nm,其中 SiO2与量子点的摩尔比为60-99:0.2-40。

2.根据权利要求1所述的量子点复合颗粒,其特征是:二氧化硅壳表面修饰有官能团,所述官能团为氨基、巯基、羧基或聚乙二醇基;二氧化硅壳内分布有1~200个量子点,量子点为II-VI族半导体材料、III-V族半导体材料,或者为II-VI族半导体材料和III-V族半导体材料形成的复合材料,量子点的粒径为1 ~ 15 nm。

3.根据权利要求2所述的量子点复合颗粒,其特征是:量子点为ZnSe、CdSe、CdS、CdTe、InP、ZnSe/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS、CdTe/ZnS、InP/ZnS、CdSe/ZnSe、CdS/ZnSe、CdTe/ZnSe、CdSe/CdS、InP/CdS、CdTe/CdS、CdS/ZnxCd1-xS、ZnSe/ZnxCd1-xS、CdSe/ZnxCd1-xS、CdTe/ZnxCd1-xS、InP/ZnxCd1-xS、ZnSe/CdS/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、CdTe/CdS/ZnS和InP/CdS/ZnS中的至少一种,其中0<x<1。

4.一种高荧光亮度的量子点复合颗粒的制备方法,其特征是包括以下步骤:

(1)量子点预处理:将水溶性量子点采用下列a或b的方法进行预处理得到预处理溶液

a.将水溶性量子点分散到0.2-2 mL水中,量子点的浓度为1× 10-7~100 × 10-7 mol/L,然后加入0.2-5μL含官能团的烷氧基硅烷试剂并搅拌3-15小时,完成量子点的表面烷氧基硅烷修饰;

b.将水溶性量子点分散到0.2-2 mL水中,量子点的浓度为1× 10-7~100 × 10-7 mol/L,然后加入0.2-5μL含官能团的烷氧基硅烷试剂并搅拌3-15小时,完成量子点的表面烷氧基硅烷修饰,得到量子点胶体溶液,然后在量子点胶体溶液中加入0.2-40 mLC1-C4的醇,再加入10μL - 1 mL氨水,搅拌5-24小时完成量子点的自组装;

(2)向步骤(1)的预处理溶液中加入1-20 uL的不含官能团的烷氧基硅烷试剂和10μL - 2 mL氨水,搅拌反应2-6h,再加入0.5-2 uL的含有官能团的烷氧基硅烷试剂,继续搅拌反应1-10h,反应完后离心分离得到表面含有官能团、内部分布有量子点的量子点复合颗粒。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征是:所述不含官能团的烷氧基硅烷试剂为正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、正硅酸丙酯、正硅酸丁酯;含官能团的烷氧基硅烷试剂为氨丙基三甲氧基硅烷、氨乙基三甲氧基硅烷、氨甲基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、氨乙基三乙氧基硅烷、氨甲基三乙氧基硅烷、氨甲基三丙氧基硅烷、氨乙基三丙氧基硅烷、氨丙基三丙氧基硅烷、巯丙基三甲氧基硅烷、巯乙基三甲氧基硅烷、巯甲基三甲氧基硅烷、巯丙基三乙氧基硅烷、巯乙基三乙氧基硅烷、巯甲基三乙氧基硅烷、巯甲基三丙氧基硅烷、巯乙基三丙氧基硅烷、巯丙基三丙氧基硅烷、羧乙基硅三醇钠盐、C7H16O2SSi、2-[甲氧基(聚乙烯氧代)丙基]三甲氧基硅烷、2-甲基-3-羟丙基甲基(硅氧烷与聚硅氧烷)或CH3O(C2H4O)6-9C3H6Cl3Si。

6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征是:所用氨水质量浓度为5 - 33%。

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