[发明专利]流体处理结构、光刻设备及对应的模块、和器件制造方法无效
| 申请号: | 201110242590.5 | 申请日: | 2011-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN102375348A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
| 发明(设计)人: | P·威勒姆斯;N·坦凯特;A·N·兹德瑞乌卡夫;R·H·M·考蒂;P·J·克拉莫尔;S·考埃里恩克;A·奎吉普 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 流体 处理 结构 光刻 设备 对应 模块 器件 制造 方法 | ||
1.一种用于光刻设备的流体处理结构,所述流体处理结构在从配置用于包含浸没流体的空间至流体处理结构外部的区域的边界处相继地设置有:
弯液面钉扎特征,用以阻止浸没流体沿离开所述空间的径向向外的方向流动通过;和
弯液面钉扎特征的径向外侧的流体供给开口,用以供给可溶解于浸没流体中的流体,其通过溶解至浸没流体能够降低浸没流体的表面张力。
2.如权利要求1所述的流体处理结构,其中,所述弯液面钉扎特征构造并布置成在所述空间的边缘处形成沿径向向外的浸没流体流,并且浸没流体是液体。
3.如前述权利要求中任一项所述的流体处理结构,还包括流体供给开口的径向外侧的出口开口,所述出口配置成通过其中从流体供给开口抽取气体,并且期望地,以气体形式供给可溶解流体。
4.如前述权利要求中任一项所述的流体处理结构,还包括屏蔽装置,用以将所述空间内的浸没流体与流出流体供给开口的可溶解流体屏蔽分隔开。
5.如权利要求4所述的流体处理结构,其中,所述屏蔽装置包括弯液面钉扎特征。
6.如权利要求4或5所述的流体处理结构,其中,所述屏蔽装置包括气刀,期望地,气刀具有低于100l/min/m的气体流量。
7.如权利要求4至6中任一项所述的流体处理结构,其中,所述屏蔽装置在流体供给开口的径向内侧。
8.如前述权利要求中任一项所述的流体处理结构,其中,所述流体供给开口配置成供给气态形式的可溶解流体。
9.如前述权利要求中任一项所述的流体处理结构,其中,所述流体供给开口位于与其中形成弯液面钉扎特征的部件分离的部件中。
10.一种用于浸没式光刻设备的模块,该模块包括根据前述权利要求中任一项所述的流体处理结构。
11.如权利要求10所述的模块,还包括:
流体的可溶解流体源,所述流体可溶解于浸没流体并且通过溶解于浸没流体能够降低浸没流体的弯液面的表面张力且布置成被提供至流体供给开口。
12.一种用于光刻设备的流体处理结构,所述流体处理结构在从配置成包含浸没流体的空间至流体处理结构外部的区域的边界处相继地设置有:
气刀,用以阻止浸没流体沿离开所述空间的径向向外的方向流动通过;和
表面张力降低流体开口,用以在气刀的径向外侧提供表面张力降低流体。
13.一种用于光刻设备的流体处理结构,所述流体处理结构具有:
内侧壁,限定浸没液体包围区域的侧边,其中在使用时由正对表面限定浸没液体包围区域的底部;
位于内侧壁中的第一开口,用以提供浸没液体至浸没液体包围区域;
位于流体处理结构的底部壁中的第二开口,其在使用时面对正对表面以提供具有相对于浸没液体的较低表面张力的液体至流体处理结构和正对表面之间的间隙;和
弯液面钉扎特征,阻止液体沿间隙沿径向向外的方向流动通过,
其中所述弯液面钉扎特征在第二开口的径向外侧。
14.一种器件制造方法,包括:通过由弯液面钉扎特征限制的浸没液体投影图案化辐射束到衬底上,和在弯液面钉扎特征的径向外侧的位置处供给可溶解于浸没液体的流体,所述流体通过溶解到浸没液体降低浸没液体的表面张力。
15.一种器件制造方法,包括:
通过浸没液体将图案化辐射束投影到衬底上,其中浸没液体被提供至由流体处理结构的内侧壁和衬底限定的浸没流体包围区域;和
在流体处理结构的弯液面钉扎特征的径向外侧的位置处提供具有相对于浸没液体的较低表面张力的第二液体至流体处理结构和衬底之间的间隙。
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