[发明专利]腔体封口工艺

权利要求书

1.一种腔体封口工艺，包括步骤：

提供半导体基底，其上形成有腔体，所述腔体通过其上方的通孔透过所述半导体基底与外测环境相连；

在所述半导体基底上和所述通孔的侧壁之间形成第一封口薄膜，所述第一封口薄膜在所述通孔的侧壁之间留有间隙而未将所述腔体完全封口；

对所述半导体基底作退火，在退火的过程中进行热氧化，将所述第一封口薄膜氧化成第二封口薄膜，从而将所述通孔的侧壁之间的间隙全部填满。

2.根据权利要求1所述的腔体封口工艺，其特征在于，所述通孔的排布方式是任意的。

3.根据权利要求2所述的腔体封口工艺，其特征在于，所述第一封口薄膜的形成方法为化学气相淀积法。

4.根据权利要求3所述的腔体封口工艺，其特征在于，所述第一封口薄膜的材料为多晶硅。

5.根据权利要求4所述的腔体封口工艺，其特征在于，所述第二封口薄膜的材料为氧化硅。

6.一种腔体封口工艺，包括步骤：

提供半导体基底，其上形成有腔体，所述腔体通过其上方的通孔透过所述半导体基底与外测环境相连；

利用淀积工艺，在所述半导体基底上和所述通孔的侧壁之间形成一封口薄膜，所述封口薄膜将所述腔体完全封口，但在所述通孔的侧壁之间留有空隙；

对所述半导体基底作退火，在退火的过程中进行热反应，在所述封口薄膜上方形成一反应物薄膜。

7.根据权利要求6所述的腔体封口工艺，其特征在于，在形成所述封口薄膜之后、退火之前还包括步骤：

采用刻蚀工艺，将位于所述通孔的侧壁之间的所述空隙打开。

8.根据权利要求6或7所述的腔体封口工艺，其特征在于，所述通孔的排布方式是任意的。

9.根据权利要求8所述的腔体封口工艺，其特征在于，所述封口薄膜的材料为多晶硅。

10.根据权利要求9所述的腔体封口工艺，其特征在于，所述反应物薄膜具有良好的致密性。