[发明专利]电磁屏蔽方法及制品

权利要求书

1.一种制品，包括基体，其特征在于：该制品还包括形成于该基体上的一绝缘层及形成于该绝缘层上的导电层，该绝缘层为钽-氧层，该导电层为铝钨铜合金层。

2.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该绝缘层及导电层通过真空镀膜的方式形成。

3.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该绝缘层的主要成分为五氧化二钽。

4.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该绝缘层的厚度为0.8~5μm。

5.如权利要求4所述的制品，其特征在于：该绝缘层的厚度为2~3μm。

6.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该导电层的厚度为0.5~2μm。

7.如权利要求6所述的制品，其特征在于：该导电层的厚度为1~2μm。

8.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该基体为印刷电路板或柔性线路板。

9.如权利要求8所述的制品，其特征在于：该基体上形成有至少一电子元件，所述绝缘层及所述导电层沉积在所述电子元件的表面及基体的表面。

10.一种电磁屏蔽方法，其包括如下步骤：

提供基体；

采用真空镀膜法，以钽靶为靶材，以氧气为反应气体，于基体上形成一绝缘层，该绝缘层为钽-氧层；

采用真空镀膜法，以铝钨铜合金靶为靶材，于该绝缘层上形成一导电层，该导电层为铝钨铜合金靶。

11.如权利要求10所述的电磁屏蔽方法，其特征在于：形成所述绝缘层的方法为：采用磁控溅射镀膜法，设置钽靶的功率为5~8kw，以氧气为反应气体，氧气的流量为50~200sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为100~300sccm，施加于基体的偏压为-100~-300V，镀膜温度为20~80℃，镀膜时间为15~35min。

12.如权利要求10所述的电磁屏蔽方法，其特征在于：形成所述导电层的方法为：采用磁控溅射镀膜法，设置铝钨铜合金靶的功率为10~15kw，以氩气为工作气体，氩气的流量为100~300sccm，施加于基体的偏压为-100~-300V，镀膜温度为20~80℃，镀膜时间为3~20min；所述铝钨铜合金靶中，Al的质量百分含量为35~45%，Cu的质量百分含量为40~45%。