[发明专利]防静电保护电路

权利要求书

1.一种防静电保护电路，其特征在于，包括：

第一二极管(D1)，其具有阳极和阴极，其阳极连接第一输入源；

第二二极管(D2)，其具有阳极和阴极，其阳极连接第二输入源，其阴极与所述第一二极管的阴极连接，并在连接处形成第一分接点(a)；

第一PMOS管(M1)，其具有源极(s1)、栅极(g1)、漏极(d1)和衬底，其衬底同其源极(s1)相连后与所述第一分接点(a)连接，其栅极(g1)通过一电容(C1)与所述第二输入源连接，且其栅极还通过一电阻(R1)连接所述第一输入源，其漏极(d1)连接所述第二输入源；以及

第二PMOS管(M2)，其具有源极(s2)、栅极(g2)、漏极(d2)和衬底，其衬底同其源极(s2)相连后通过所述第一分接点(a)与所述第一PMOS管的源极(s1)连接，其栅极(g2)通过一电阻(R2)与所述第二输入源连接，且其栅极(g2)还通过一电容(C2)连接所述第一输入源，其漏极(d2)连接所述第一输入源；

其中，第一输入源与第二输入源中的其中一者为信号源(VIN)。

2.根据权利要求1所述的防静电保护电路，其特征在于，所述第一输入源为接地端(VSS)，第二输入源为信号源(VIN)。

3.根据权利要求1所述的防静电保护电路，其特征在于，所述第一输入源为信号源(VIN)，第二输入源为电源端(VDD)。

4.根据权利要求3所述的防静电保护电路，其特征在于，还包括：

第三二极管(D3)，其具有阳极和阴极，其阳极连接接地端(VSS)；

第四二极管(D4)，其具有阳极和阴极，其阳极连接所述信号源(VIN)，其阴极与所述第三二极管的阴极连接，并在连接处形成第二分接点(a’)；

第三PMOS管(M3)，其具有源极(s3)、栅极(g3)、漏极(d3)和衬底，其衬底同其源极(s3)相连后与所述第二分接点(a’)连接，其栅极(g3)通过一电容(C3)与所述信号源连接，且其栅极(g3)还通过一电阻(R3)连接所述接地端，其漏极(d3)连接所述信号源；以及

第四PMOS管(M4)，其具有源极(s4)、栅极(g4)、漏极(d4)和衬底，其衬底同其源极(s4)相连后通过所述第二分接点(a’)与所述第三PMOS管的源极(s3)连接，其栅极(g4)通过一电阻(R4)与所述信号源连接，且其栅极(g4)还通过一电容(C4)连接所述接地端，其漏极(d4)连接所述接地端。