[发明专利]可过驱输出缓冲器、源极驱动器电路及其方法有效

专利信息
申请号: 201110220276.7 申请日: 2011-08-01
公开(公告)号: CN102346998A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 郑圭荣 申请(专利权)人: 美格纳半导体有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王青芝;郭鸿禧
地址: 韩国忠清*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 输出 缓冲器 驱动器 电路 及其 方法
【说明书】:

本申请要求于2010年7月30日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0074159号韩国专利申请的利益,该申请的整个公开为了所有目的通过引用包含于此。

技术领域

下面的描述涉及一种可过驱输出缓冲器、具有该可过驱输出缓器的源极驱动器电路及其方法,更具体的讲,涉及一种这样的输出缓冲器、具有该输出缓冲器的源极驱动器电路以及用于输出缓冲器和源极驱动器电路的方法,所述输出缓冲器能够向显示面板提供比目标电压大或者小的过驱输出信号。

背景技术

通常,平板显示设备包括:显示面板,在所述显示面板上布置用于显示图像的多个单位像素;栅极驱动器电路,用于驱动显示面板的栅极线;源极驱动器电路,用于将显示数据提供给显示面板的数据线,并将所述数据显示为图像。如果预定比特的显示数据被提供给源极驱动器电路,则源极驱动器电路提供具有预定目标值的输出信号,以在一个水平周期(1H)驱动显示面板的单位像素,从而在显示面板上显示图像。

随着显示面板大小和显示清晰度的增加,被源极驱动器电路提供给显示面板的输出信号的目标电压也增加。换句话讲,随着显示面板大小和显示清晰度的增加,连接到源极驱动器电路的输出端的负载电容器的电容和负载电阻也增加,因此输出信号的目标电压也增加。

因此,由于显示面板大小和清晰度的增加所导致的输出负载的电容增加,所以输出负载的电阻电容(RC)延迟比源极驱动器电路的输出缓冲器的压摆率(slew rate)大。压摆率是在电路的任何点的信号的最大改变率。因此,即使从输出缓冲器提供的目标电压的输出信号被提供给显示面板的单位像素,每个单位像素的像素负载也不能在期望的时间达到期望的目标值。换句话讲,在具有大面板和高清晰度的显示元件中使用的源极驱动器的负载电阻和负载电容大,并且1H相对小的情况下,即使输出缓冲器的压摆率为高,RC延迟也非常大,从而单位像素不能在期望的时间内达到电压的期望目标值。因此,可能不能在显示面板上显示期望的图像。

发明内容

在一总方面,提供了一种用于源极驱动器电路的输出缓冲器,所述源极驱动器电路接收外部缓冲器输入信号,并产生包括预定目标电压的缓冲器输出信号,所述输出缓冲器包括:过驱控制器,被配置为基于从外部源提供的第一过驱使能信号、第二过驱使能信号、第一过驱信号和第二过驱信号,产生用于过驱操作的一对第一内部缓冲器输入信号和一对第二内部缓冲器输入信号;和输出缓冲器单元,被配置为基于从过驱控制器提供的所述一对第一内部缓冲器输入信号和所述一对第二内部缓冲器输入信号来执行过驱操作,并产生包括比预定目标电压大的目标电压的缓冲器输出信号,或者产生包括比所述预定目标电压小的目标电压的缓冲器输出信号。

在所述输出缓冲器中,过驱控制器可包括:第一控制器,被配置为:接收外部缓冲器输入信号作为第一输入信号,接收缓冲器输出信号作为第二输入信号,基于第一过驱使能信号和第二过驱使能信号来对第一输入信号和第二输入信号进行不同地放大,将所述一对第一内部缓冲器输入信号输出到输出缓冲器单元;第二控制器,被配置为:接收外部缓冲器输入信号作为第一输入信号,接收缓冲器输出信号作为第二输入信号,基于第一过驱使能信号和第二过驱使能信号来对第一输入信号和第二输入信号进行不同地放大,将所述一对第二内部缓冲器输入信号输出到输出缓冲器单元。

在所述输出缓冲器中,第一控制器可包括:一对第一晶体管,被配置为通过栅极接收第一输入信号,将所述一对第一内部缓冲器输入信号中的一个输出到漏极;一对第二晶体管,被配置为通过栅极接收第二输入信号,将所述一对第一内部缓冲器输入信号中的另一个输出到漏极。

在所述输出缓冲器中,所述一对第一晶体管和所述一对第二晶体管可分别包括多对NMOS晶体管。

在所述输出缓冲器中,第一控制器还可包括:第一开关,与所述一对第一晶体管中的一个串联,所述第一开关被配置为通过第二过驱使能信号被控制;第二开关,与所述一对第二晶体管中的一个串联,所述第二开关被配置为通过第一过驱使能信号被控制。

在所述输出缓冲器中,第二控制器可包括:一对第三晶体管,被配置为通过栅极接收第二输入信号,将所述一对第二内部缓冲器输入信号中的一个输出到漏极;一对第四晶体管,被配置为通过栅极接收第一输入信号,将所述一对第二内部缓冲器输入信号中的另一个输出到漏极。

在所述输出缓冲器中,所述一对第三晶体管和所述一对第四晶体管可分别包括多对PMOS晶体管。

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