[发明专利]真空阀有效
申请号: | 201110219982.X | 申请日: | 2011-07-12 |
公开(公告)号: | CN102332364A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 浅利直纪;佐佐木遥;捧浩资;大竹史郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01H33/66 | 分类号: | H01H33/66;H01H33/664 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及一种能够提高耐电压特性的具有接触分离自如的一对触点的真空阀。
背景技术
以往,这种真空阀为了提高真空中的耐电压特性,在用于防止金属蒸汽扩散的筒状的电弧屏蔽件端部形成陶瓷扩散层。例如有日本特开2007-115599号公报(以下称作专利文献1)。
另一方面,已知有在电弧屏蔽件端部等位置处减小曲率而提高耐电压特性的结构。即,是利用了所谓的真空中的面积效果的结构,是减小对绝缘破坏有贡献的面积而提高破坏电场的结构。例如,同样有日本特开平10-21802号公报(以下称作专利文献2)。
在上述以往的真空阀中,电场强度高的部分容易位于电弧屏蔽件端部,采取了各种提高耐电压的对策。另一方面,在固定安装有触点的通电轴上,相对地确保了与电弧屏蔽件之间的绝缘距离,抑制了电场强度。然而,在棒状的通电轴和筒状的电弧屏蔽件之间,对绝缘破坏有贡献的面积与电弧屏蔽件端部相比而远远地大,若考虑真空中的面积效果,则破坏电场变低。
特别是针对大容量化、小型化的要求而将通电轴设为粗径或者将绝缘距离设定得较短,因此,对置面积增加而破坏电场下降。因此,存在通电轴和电弧屏蔽件之间耐电压特性下降的问题。
发明内容
本发明为了解决上述问题而提出,本发明的目的在于提供一种提高通电轴和电弧屏蔽件之间的耐电压特性、能够实现大容量化和小型化的真空阀。
为了实现上述目的,本发明的实施方式的真空阀由如下结构构成。即,真空阀具有:真空绝缘容器;被收纳在上述真空绝缘容器内的接触分离自如的一对触点;固定安装于上述触点的通电轴;和以包围上述触点的方式设置的电弧屏蔽件,其中,在上述通电轴的外表面以及上述电弧屏蔽件的内表面,设置有由比该构成金属的熔点高的金属材料构成的金属被膜。
附图说明
图1为表示本发明的实施例1涉及的真空阀的结构的剖视图。
图2为表示本发明的实施例2涉及的真空阀的结构的剖视图。
图3为表示本发明的实施例3涉及的真空阀的结构的剖视图。
附图标记说明
1 真空绝缘容器
2、3 封固金属件
3、8 通电轴
5、9、12、13、14、15 金属被膜
6、7 触点
10 波纹管
11 电弧屏蔽件
16 绝缘层
具体实施方式
本发明的实施方式中,通过采用熔点高的金属被膜,来提高真空中的破坏电场。以下,参照附图说明本发明的实施例。
[实施例1]
首先,参照图1说明本发明的实施例1涉及的真空阀。图1为表示本发明的实施例1涉及的真空阀的结构的剖视图。
如图1所示,在由氧化铝陶瓷构成的筒状真空绝缘容器1的两端开口部,封固有固定侧封固金属件2和可动侧封固金属件3。在固定侧封固金属件2贯穿固定有由电解铜构成的固定侧通电轴4。在固定侧电轴4的外表面,通过蒸镀或电镀设置有例如铬这样的比电解铜熔点高的固定侧金属被膜5。膜的厚度为数百纳米(nm)。在固定侧通电轴4的端部,固定安装有具有铜合金的固定侧触点6。
与固定侧触点6相对置并与其接触分离自如的、具有铜合金的可动侧触点7,被固定安装在移动自如地贯穿可动侧封固金属件3的、由电解铜构成的可动侧通电轴8的端部。在可动侧通电轴8的外表面,与固定侧同样地设置有比电解铜的熔点高的可动侧金属被膜9。
伸缩自如的波纹管10的一端被封固在可动侧通电轴8的中间部,另一端被封固在可动侧封固金属件3。由此,保持真空绝缘容器1内的真空,能够使可动侧通电轴8沿轴向移动。而且,被包围在波纹管10内的可动侧通电轴8也可以不设置上述可动侧金属被膜9。
另外,由不锈钢构成的筒状的电弧屏蔽件11以包围固定侧触点6和可动侧触点7的方式固定在真空绝缘容器1的内表面。在电弧屏蔽件11的内表面,与通电轴4、8同样地设置有例如铬这样的比不锈钢熔点高的屏蔽件侧金属被膜12。
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