[发明专利]一种纳米结构的氢氧化钴薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110185736.7 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102344254A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 聂祚仁;李群艳;解林艳;韦奇;王志宏 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 氢氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米结构氢氧化钴薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)基片预处理：将基片依次用硝酸、乙醇和蒸馏水超声洗涤，室温自然干燥，待用；
2)将钴盐溶于水中配成钴离子浓度为0.01～0.10mol/L的钴盐溶液；
3)将氢氟酸加入步骤2)中配制的钴盐溶液中得到混合溶液，其中，F与Co(II)的摩尔比为3∶1～9∶1；
4)在步骤3)中得到的混合溶液中滴加氨水调节pH值为8.50～9.30；
5)将步骤1)中预处理后的基片垂直放入步骤4)中配制的溶液后，于50～80℃的水浴中搅拌反应2～4小时得到覆有薄膜的基片；
6)取出覆有薄膜的基片超声洗涤、室温自然干燥，得到Co(OH)2薄膜。
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