[发明专利]显示装置、用于驱动显示装置的方法以及电子设备有效
申请号: | 201110164857.3 | 申请日: | 2011-06-17 |
公开(公告)号: | CN102298915A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 寺西康幸 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G02F1/1368;G02F1/133 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 用于 驱动 方法 以及 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置、用于驱动显示装置的方法以及电子设备,特别地,涉及在像素中具有存储器以存储图像数据的显示装置、用于驱动该显示装置的方法以及具有该显示装置的电子设备。
背景技术
显示装置中,有一些显示装置在像素中具有存储器以存储图像数据。在例如在像素中具有内置存储器的显示装置中,可以实现通过模拟显示模式进行的显示以及通过存储器显示模式进行的显示。模拟显示模式是指以模拟方式显示像素的灰阶的显示模式。存储器显示模式是指基于像素中的存储器中所存储的二进制信息(逻辑“1”/“0”)以数字方式显示像素的灰阶的显示模式。
在存储器显示模式中,由于使用保持在存储器中的信息,因此无需以帧周期执行写入反映灰阶的信号电位的操作。因此,在存储器显示模式中,功耗比模拟显示模式的功耗低,在模拟显示模式中,需要以帧周期执行写入反映灰阶的信号电位的操作。
作为能够通过模拟显示模式进行显示和通过存储器显示模式进行显示的现有技术的显示装置,已知有其中将静态随机存取存储器(SRAM)用作像素中的内置存储器的显示装置(参照例如第2009-98234号日本专利公开)。
图21示出了根据使用SRAM作为像素中的存储器的现有技术实例的液晶显示装置的像素电路的一个实例。根据本现有技术实例的液晶显示装置中的像素90具有液晶电容91、保持电容92、SRAM 93以及五个开关晶体管94至98。在像素90中,反映灰阶的信号电位Vsig或不同于公共电位VCOM的电位VXCS经由信号线99选择性地施加至像素90。
液晶电容91表示当液晶封闭在像素电极和与像素电极相对形成的对向电极之间时,在像素电极和对向电极之间产生的电容。公共电位VCOM施加至所有像素的液晶电容91共有的对向电极。液晶电容91的像素电极与保持电容92的一个电极公共电连接。保持电容92保持反映灰阶的信号电位Vsig。与公共电位VCOM几乎相同的CS电位VCS施加至保持电容92的另一电极。
SRAM 93由设置在正侧电源电位VRAM和负侧电源电位VSS之间的两个CMOS反相器组成。这两个CMOS反相器中一个的输入端与另一个的输出端公共连接。另一个的输入端与一个的输出端公共连接。
在构成SRAM 93的两个CMOS反相器中,一个CMOS反相器由串联连接在电源电位VRAM和电源电位VSS之间、并且栅电极公共连接的PchMOS晶体管931和NchMOS晶体管932组成。另一CMOS反相器由串联连接在电源电位VRAM和电源电位VSS之间、并且栅电极公共连接的PchMOS晶体管933和NchMOS晶体管934组成。
五个开关晶体管94至98例如由薄膜晶体管形成。由控制信号CTL1控制开关晶体管94和95的导通/非导通状态。特别地,在将反映灰阶的信号电位Vsig写入保持电容92时,响应于变成激活(较高电位)状态的控制信号CTL1,开关晶体管94和95变成导通状态。
在模拟显示模式中写入反映灰阶的信号电位Vsig时,或者在存储器显示模式中写入不同于公共电位VCOM的电位VXCS时,开关晶体管96变成导通状态。在存储器显示模式中将CS电位VCS写入保持电容92时,开关晶体管97变成导通状态,其中,CS电位VCS与施加至液晶电容91的对向电极的公共电位VCOM几乎相同。
SRAM 93的保持电位用于控制开关晶体管96和97的导通/非导通状态。在该电路实例中,当开关晶体管96处于导通状态时,开关晶体管97处于非导通状态,并且当开关晶体管96处于非导通状态时,开关晶体管97处于导通状态。
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