[发明专利]一种高灵敏度跨阻放大器前端电路无效

专利信息
申请号: 201110152801.6 申请日: 2011-06-08
公开(公告)号: CN102244499A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 徐延臻 申请(专利权)人: 佛山敏石芯片有限公司
主分类号: H03F3/08 分类号: H03F3/08
代理公司: 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 代理人: 莫瑶江
地址: 528200 广东省佛山市南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 灵敏度 放大器 前端 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及电学领域,尤其涉及的是一种高灵敏度跨阻放大器前端电路。

背景技术

跨阻放大器是将电流信号转化成电压信号并加以放大的电子电路。其最常见的用途之一是光电通信技术光信号接收器的前置放大器。跨阻放大器的前端一般是由一个单级反相放大器与一个并联反馈两部分组成的。反相放大器通常是共源极场效应管或者共射极三极管与负载电阻组成。跨阻放大器通常是宽带放大器。其带宽与增益之积取决于反相器的带宽与增益之积。而其转化增益则由并联反馈电阻值决定。

由于跨阻放大器是光电通信技术的关键之一,利用每一个特定半导体工艺的特点开发带宽大与增益高而噪声小的新型跨阻放大器一直是光电通信行业的研发热点之一。但是现有的跨阻放大器一直存在带宽不足,灵敏度不够的问题。因此,现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高灵敏度跨阻放大器前端电路,旨在解决现有的跨阻放大器的灵敏度不够高的问题。

本发明的技术方案如下:

一种高灵敏度跨阻放大器前端电路,其中,包括:第一场效应管、负载电阻、第二场效应管、并联反馈电阻、第二负载电阻、第三负载电阻、第三场效应管、第四场效应管、第二电容器和电流源;所述第一场效应管的漏极通过负载电阻与电源连接,其栅极与光电二极管的正极连接,其源极接地;所述第二场效应管的漏极与电源连接,其栅极与第四场效应管的漏极连接,其源极通过恒流源接地;所述第二负载电阻的一端连接在第三场效应管的漏极上,另一端连接在电源上;所述第三负载电阻一端连接在第四场效应管的漏极上,另一端连接在电源上;所述第三场效应管的栅极连接在第一场效应管的漏极上,所述第四场效应管的栅极连接第一输入电压,并通过第二电容器接地;所述第三场效应管与第四场效应管的源极均通过电流源接地;光电二极管的阴极连接输入电压源,第二场效应管的源极连接输出端。

所述的高灵敏度跨阻放大器前端电路,其中,还包括:第五场效应管和第二电流源,所述第五场效应管串联在第一场效应管与负载电阻之间,其源极连接第一场效应管的漏极,其漏极连接第三场效应管的栅极,其栅极连接在第二输入电压上,第五场效应管与第一场效应管构成一个共栅极层叠结构,所述第二电流源并联在负载电阻和第五场效应管的两端。

所述的高灵敏度跨阻放大器前端电路,其中,所述的第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管可替换为第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管,各场效应管的漏极、栅极和源极分别对应于各三极管的集电极、基极和发射极。

所述的高灵敏度跨阻放大器前端电路,其中,所述的第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管可替换为第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管和第五三极管,各场效应管的漏极、栅极和源极分别对应于各三极管的集电极、基极和发射极。

所述的高灵敏度跨阻放大器前端电路,其中,还包括:第一电容器,所述第一电容器并联在第二负载电阻的两端。

本发明的有益效果:对特定的芯片制造工艺,本发明提出一种新的跨阻放大器前端电路结构,于现有电路的负载电阻RL与跟随器管M2或Q2之间新增一级差分放大电路即一个宽带放大器,与已有电路相比,可以显著改进跨阻放大器带宽与灵敏度,提高光电信号的传输速度或者传输距离,从而也可以扩大制造工艺的应用范围。

附图说明

图1为现有的一种跨阻放大器前端电路的结构示意图。

图2为现有的另一种跨阻放大器前端电路的结构示意图。

图3为本发明实施例一提供的一种跨阻放大器前端电路的结构示意图。

图4为本发明实施例二提供的一种跨阻放大器前端电路的结构示意图。

图5为本发明实施例三提供的一种跨阻放大器前端电路的结构示意图。

图6为本发明实施例四提供的一种跨阻放大器前端电路的结构示意图。

图7为跨阻放大器的等效电路图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。

现有的跨阻放大器的前端电路一般是共源场效应管反相放大器(如图1所示)或者是共射极三极管型反相放大器(如图2所示)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山敏石芯片有限公司,未经佛山敏石芯片有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110152801.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top