[发明专利]补偿电路、显示驱动装置和AMOLED显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术，特别涉及一种补偿电路、显示驱动装置和AMOLED显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，被称为下一代显示技术的有源矩阵有机发光二极管面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，简称：AMOLED)的应用也越来越重要。有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，以下简称：OLED)是AMOLED的发光部件，在驱动电路的驱动下，当有电流流过OLED时OLED发光。

目前在AMOLED显示领域中，尤其是大尺寸基板的设计中，由于阵列基板TFT在工艺过程中的不均匀性以及不稳定性等问题，造成流经OLED电流的不均匀。为了解决由于TFT不均匀以及不稳定而造成的OLED电流不均匀的问题，为AMOLED的驱动电路增设补偿电路。

图1为现有技术中补偿电路的结构示意图，如图1所示，该补偿电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4和第五薄膜晶体管T5。第一薄膜晶体管T1的栅极与栅线连接，第一薄膜晶体管T1的源极与数据线连接；第二薄膜晶体管T2的源极与第一薄膜晶体管T1的漏极连接，第二薄膜晶体管T2的栅极与第一电源S1连接，第二薄膜晶体管T2的栅极与第二薄膜晶体管T2的漏极连接；第三薄膜晶体管T3的栅极与第二薄膜晶体管T2的漏极连接，第三薄膜晶体管T3的漏极与第一电源S1连接；第四薄膜晶体管T4的栅极与第二电源S2连接，第四薄膜晶体管T4的漏极与第三薄膜晶体管T3的源极连接，第四薄膜晶体管T4的源极用于与OLED连接；第五薄膜晶体管T5的栅极和源极与第二薄膜晶体管T2的源极连接，第五薄膜晶体管T5的漏极与第二薄膜晶体管T2的漏极连接。上述补偿电路中，通过栅线和数据线对当前帧进行扫描。当栅线处于开启状态时，栅线向第一薄膜晶体管T1的栅极输出开启信号VGATE，第一薄膜晶体管T1开启，本实施例中开启状态为低压开启状态，栅极输出的开启信号为低电平信号。数据线通过开启的第一薄膜晶体管T1向第二薄膜晶体管T2充电，将数据信号VDATA输出至第二薄膜晶体管T2的源极，使第二薄膜晶体管T2的源极电压(即图中所示A点电压)高于第二薄膜晶体管T2的漏极初始电压。其中，漏极初始电压为对前一帧扫描结束后第二薄膜晶体管T2的漏极电压。第二薄膜晶体管T2的漏极与栅极连通，数据线向第二薄膜晶体管T2进行充电，使得第二薄膜晶体管T2的源极电压高于漏极电压(即图中所示B点电压)，此时，第二薄膜晶体管T2处于二极管导通状态。则第二薄膜晶体管T2的漏极电压Vd＝VDATA-Vth2+V0，其中，VDATA为第二薄膜晶体管T2的源极电压，Vth2为第二薄膜晶体管T2的阈值电压，V0为第二薄膜晶体管T2的漏极初始电压。当数据线对第二薄膜晶体管T2的充电过程结束时，第二电源S2向第四薄膜晶体管T4输出开启信号，第四薄膜晶体管T4开启，其中，本实施例中第二电源S2输出的开启信号为低电平信号。同时由于第三薄膜晶体管T3处于饱和开启状态，则流经第三薄膜晶体管T3的电流通过第四薄膜晶体管T4流经发光二极管D1，使发光二极管D1发光，其中该发光二极管D1为OLED。其中，I3＝1/2×K×(Vgs-Vth3)²＝1/2×K×(VDD-Vg-Vth3)²＝1/2×K×(VDD-Vd-Vth3)²＝1/2×K×(VDD-VDATA+Vth2-V0-Vth3)²＝1/2×K×(VDD-VDATA-V0)²。根据薄膜晶体管工艺特性中的短程近似特性，临近的薄膜晶体管的Vth是相等的，由于第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3相邻，因此Vth2等于Vth3。Vgs为第三薄膜晶体管T3的栅源电压，Vg为第三薄膜晶体管T3的栅极电压，该Vg等于Vd；VDD为第一电源S1向第三薄膜晶体管T3的漏极输出的电压；K＝W/L×C×U，其中，W为第三薄膜晶体管T3的沟道宽度，L为第三薄膜晶体管T3的沟道长度，C为第三薄膜晶体管T3的沟道和栅极的电容，U为第三薄膜晶体管T3的沟道迁移率。现有技术中，在对前一帧扫描结束后，对当前帧扫描开始时，第二薄膜晶体管T2的漏极初始电压V0为前一帧扫描结束时残留的第二薄膜晶体管T2的漏极电压，从上述流经第三薄膜晶体管T3的电流I3的公式中可以看出，流经第三薄膜晶体管T3的电流受到前一帧扫描结束后第二薄膜晶体管T2的漏极初始电压V0的影响，从而使流经发光二极管的电流受到第二薄膜晶体管的漏极初始电压的影响。