[发明专利]预校准射频功率检测器有效

专利信息
申请号: 201110141644.9 申请日: 2011-05-27
公开(公告)号: CN102299752A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 闫涛涛;王辉;周健军 申请(专利权)人: 上海信朴臻微电子有限公司
主分类号: H04B17/00 分类号: H04B17/00;H03G3/20;G01R21/00
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 200240 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 校准 射频 功率 检测器
【权利要求书】:

1.一种预校准射频功率检测器,其特征在于,包括功率检测核电路和预校准电路;

所述功率检测核电路包括:

射频信号输入级,用于接收第一射频信号并输出第二射频信号;所述第二射频信号中包括对所述第一射频信号进行平方操作所产生的功率信息和谐波分量;

射频功率分拣电路,用于对所述射频信号输入级输出的所述第二射频信号中功率信息和谐波分量进行分拣,并输出所述第二射频信号中功率信息;

射频信号输出级,与所述射频功率分拣电路连接,用于产生对应射频功率信息的输出电压信号;

所述预校准电路包括:

校准检测电路,用于将所述功率检测核电路的输出电压信号与预设的参考校准电压进行比较,输出判决信号;

校准控制电路,用于根据所述校准检测电路输出的判决信号产生调高输出电压信号或调低输出电压信号的控制信号;

校准电流阵列电路,用于根据所述校准控制电路的控制信号而输出电流至所述功率检测核电路以调高输出电压信号或调低输出电压信号,获得稳定的输出电压信号。

2.根据权利要求1所述的预校准射频功率检测器,其特征在于,所述射频信号输入级包括:第一NMOS管和第二NMOS管;

第一NMOS管的栅极接收正性第一射频信号,第二NMOS管的栅极接收负性第一射频信号;第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极连接;第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极连接,用于输出第二射频信号。

3.根据权利要求1所述的预校准射频功率检测器,其特征在于,所述射频功率分拣电路包括电阻和电容。

4.根据权利要求1所述的预校准射频功率检测器,其特征在于,所述射频信号输出级包括:第一PMOS管、第二PMOS管以及负载电阻;

第一PMOS管的栅极与所述射频功率分拣电路连接,第一PMOS管的源极接电源电压,第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极连接,第二PMOS管的栅极与偏置电压连接,第二PMOS管的漏极与负载电阻连接,作为用于输出电压信号的输出端。

5.根据权利要求1所述的预校准射频功率检测器,其特征在于,所述校准检测电路为电压比较器;当所述功率检测核电路的输出电压信号大于预设的参考校准电压时,输出调低所述功率检测核电路的输出电压信号的判决信号;当所述功率检测核电路的输出电压信号小于预设的参考校准电压时,输出调高所述功率检测核电路的输出电压信号的判决信号。

6.根据权利要求1所述的预校准射频功率检测器,其特征在于,所述校准电流阵列电路与所述校准控制电路和功率检测核电路的射频信号输出级连接,包括注电流电路、抽电流电路以及用于选择所述注电流电路或所述抽电流电路的选择开关;

所述注电流电路包括多级注电流支电路,所述每一级的注电流支电路包括PMOS管和切换开关,且,后一级的注电流支电路中电流强度是前一级的注电流支电路中电流强度的2倍;

所述抽电流电路包括多级抽电流支电路,所述每一级的抽电流支电路包括NMOS管和切换开关,且,后一级的抽电流支电路中电流强度是前一级的抽电流支电路中电流强度的2倍。

7.根据权利要求1所述的预校准射频功率检测器,其特征在于,所述校准控制电路采用的是二分法控制,输出的控制信号为一串控制字符。

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