[发明专利]一种非带隙电压基准源

权利要求书

1.一种非带隙电压基准源，其特征在于，包括第一启动电路、第二启动电路、Vtn提取电路、Vtp提取电路和电流模基准电路，其中，所述的第一启动电路用于使Vtp提取电路正常工作，所述的第二启动电路用于使Vtn提取电路正常工作，所述Vtn提取电路用于提取正比于Vtn的电流，所述Vtp提取电路用于提取正比于Vtp的电流，所述电流模基准电路用于镜像正比于Vtn和Vtp的电流，产生基准电压。

2.根据权利要求1所述的非带隙电压基准源，其特征在于，所述Vtn提取电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第一电阻；其中，第一PMOS管与第三PMOS管的栅极相连，源极接电源电压，第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极相连，第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极相连，第二、第四PMOS管的栅极相连，并且第二、第四PMOS管的栅极与漏极相连；第二PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连，第四PMOS管的源极与第三NMOS管的漏极相连，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极相连，第一NMOS管与第二MOS管的栅极相连，第三NMOS管的源极与第二电阻相连，第二电阻的另一端和第二NMOS管的源极接地，并且第一、第二NMOS管的栅极与漏及连接，第三NMOS管的源极为输出端。

3.根据权利要求1所述的非带隙电压基准源，其特征在于，所述的Vtp提取电路包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第一电阻；其中，第五PMOS管的源极和第一电阻的一端接电源电压，第五PMOS管的漏极与第七PMOS管的源极相连，第六PMOS管的源极与第一电阻的另一端相连，第六PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极相连，第六PMOS管的栅极与第七PMOS管的栅极相连，第七PMOS管的漏极与第六NMOS管的漏极相连，并且第五、第七PMOS管的栅极与漏极相连；第四NMOS管的源极与第五NMOS管的漏极相连，第六NMOS管的源极与第七NMOS管的漏极相连，第四、第五的栅极相连，第五NMOS管与第七NMOS管的源极接地，二者的栅极相连，同时第四NMOS管与第五NMOS管的栅极与漏极相连。

4.根据权利要求1-3所述的任一非带隙电压基准源，其特征在于，所述的电流模基准电路由PMOS管MP8、MP9，NMOS管MN8、MN9以及电阻R3组成，其中PMOS管MP8、MP9和NMOS管MN8、MN9组成CASECODE结构，分别镜像与Vtp和Vtn正比的电流，叠加在电阻R3上产生基准电压。

5.根据权利要求2所述的非带隙电压基准源，其特征在于，所述的第三PMOS管和第四PMOS管的宽长比相等，第一PMOS管和第二PMOS管的宽长比相等，并且第三PMOS管和第四PMOS管的宽长比是第一PMOS管和第二PMOS管的4倍。