[发明专利]熔丝电路和包括熔丝电路的存储器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年10月15日提交的韩国专利申请No.10-2010-0100751的优先权，其全部内容通过引用合并在本文中。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及半导体器件，更具体而言涉及一种用于在半导体器件中储存数据(诸如修复信息)的熔丝电路。

背景技术

通常，熔丝的数据是根据熔丝是否由激光器来切断而被分类的。一般地，在将晶片安装到封装体中之前，在晶片状态对熔丝进行编程。

使用反熔丝(antifuse)来克服以上这样的限制。反熔丝使用晶体管来储存数据。反熔丝的数据根据栅极与漏极/源极之间的电阻而被分类。

图1图示了包括晶体管的反熔丝以及反熔丝作为电阻或电容的操作。

参见图1，反熔丝包括晶体管T，所述晶体管T具有被施加电源电压的栅极G，以及被施加接地电压的漏极/源极端子D/S。

当向栅极G施加晶体管T容许的正常的电源电压时，反熔丝如电容C一样来操作。因此，在栅极G与漏极/源极端子D/S之间没有电流流动。然而，当向栅极G施加晶体管T不容许的高电源电压时，晶体管T的栅极氧化物被破坏，用以使栅极G与漏极/源极端子D/S短路，由此反熔丝如电阻R一样工作。因此，电流在栅极G与漏极/源极端子D/S之间流动。

基于该事实，通过栅极G与漏极/源极端子D/S之间的电阻值来检测反熔丝的数据。在一种方法中，可以通过增加晶体管T的尺寸而在不需要感测操作的情况下直接检测反熔丝的数据。在另一种方法中，不用增加晶体管T的尺寸，可以通过借助于放大器来感测流经晶体管T的电流而检测反熔丝的数据。然而，因为反熔丝的晶体管T被设计成具有大的尺寸或者必须包括针对每个熔丝的放大器，因此就面积而言上述两种方法存在不足。

发明内容

本发明的示例性实施例旨在减少包括多个熔丝的熔丝电路的面积。

根据本发明的一个示例性实施例，一种熔丝电路包括：多个熔丝单元；放大单元，所述放大单元被配置为顺序地将储存在熔丝单元中的数据放大；以及多个寄存器，所述多个寄存器被配置为顺序地储存由放大单元放大的数据。

熔丝单元可以是反熔丝单元，并且可以在包括所述熔丝电路的系统的初始操作中执行放大单元的顺序的放大操作以及寄存器的顺序的储存操作。

根据本发明的另一个示例性实施例，一种熔丝电路包括：多个熔丝单元，所述多个熔丝单元被配置为响应于多个选择信号之中的与其相对应的选择信号而被使能；计数器单元，所述计数器单元被配置为对振荡波进行计数并产生地址；译码器单元，所述译码器单元被配置为对地址进行译码并产生选择信号；放大单元，所述放大单元被配置为将熔丝单元之中的被使能的熔丝单元的数据放大；以及多个寄存器，所述多个寄存器被配置为响应于选择信号之中的与其相对应的选择信号而被使能，并储存由放大单元放大的数据。

根据本发明的又一个示例性实施例，一种存储器件包括：多个熔丝单元，所述多个熔丝单元被配置为响应于多个选择信号之中的与其相对应的选择信号而被使能；计数器单元，所述计数器单元被配置为对振荡波进行计数并产生地址；译码器单元，所述译码器单元被配置为对地址进行译码并产生选择信号；放大单元，所述放大单元被配置为将熔丝单元之中的被使能的熔丝单元的数据放大；存储体区，所述存储体区包括多个存储单元和多个寄存器，所述寄存器中的每个被配置为响应于所述选择信号之中的与其相对应的选择信号而被使能，并储存由放大单元放大的数据；以及多个地址线，所述多个地址线被配置为将地址传送到存储体区。

附图说明

图1是说明包括晶体管的反熔丝以及反熔丝作为电阻或电容的操作的图。

图2是根据本发明的一个示例性实施例的熔丝电路的框图。

图3是根据本发明的一个示例性实施例的图2的熔丝电路的框图。

图4是产生图3的使能信号RD_EN的电路的框图。

图5是说明图4的电路的操作的时序图。

图6是根据本发明的另一个示例性实施例的图2的熔丝电路的框图。

图7是产生图6的使能信号的电路的框图。

图8是说明图7的电路的操作的时序图。

图9是根据本发明的一个示例性实施例的包括图3的熔丝电路的存储器件的框图。

图10是图9的地址线中的以时分方式传送地址和数据的一个地址线的时序图。

具体实施方式