[发明专利]一种复合材料真空熔铸系统及复合材料制备方法无效
| 申请号: | 201110091375.X | 申请日: | 2011-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN102183143A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
| 发明(设计)人: | 皇志富;邢建东;高义民;王碧野 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | F27B14/04 | 分类号: | F27B14/04;F27B14/06 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
| 地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 复合材料 真空 熔铸 系统 制备 方法 | ||
1.一种复合材料真空熔铸系统,包括真空炉,其特征在于:所述真空炉内设置有高位容器和低位容器,高位容器设置在低位容器侧上方并且与低位容器相对应;所述高位容器和低位容器上分别设置有相互独立的热源。
2.如权利要求1所述一种复合材料真空熔铸系统,其特征在于:所述高位容器是坩埚或铸型;所述低位容器是坩埚或铸型。
3.如权利要求1所述一种复合材料真空熔铸系统,其特征在于:所述低位容器底端放置耐火材料垫稳。
4.如权利要求1所述一种复合材料真空熔铸系统,其特征在于:所述热源是感应线圈。
5.基于权利要求1所述真空熔铸系统的复合材料制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在真空炉内设置有高位容器和低位容器,高位容器设置在低位容器侧上方并且与低位容器相对应;高位容器和低位容器上分别设置有相互独立的热源;高位容器的倾斜角度为0-90°;
(2)在高位容器内放置高熔点材料,在低位容器内放置低熔点材料或不进行熔化只进行预热的陶瓷材料,同时打开高位容器和低位容器上设置的热源,使高位容器内的温度达到1600℃,使低位容器内的温度达到1400℃;
(3)待高位容器和低位容器中的熔液都熔清后,先停止对低位容器加热,使低位容器的温度降到低熔点材料熔点温度以下150~200℃,再停止对高位容器加热,然后在1600℃的浇注温度将高位容器内熔液倾斜倒入低位容器;
(4)浇注完毕后约5小时,卸掉真空和关闭循环水后,打开炉门,取出复合材料。
6.如权利要求1所述复合材料制备方法,其特征在于,所述高位容器和低位容器的热源都是感应线圈加热,感应线圈中初始电流是50A,待真空炉内温度达到400-500℃时,加大加热电流至300A,使高位容器和低位容器中的熔液都熔清,且高位容器内的温度达到1600℃,低位容器内的温度达到1400℃;先使低位容器的感应线圈停止通电,同时保持高位容器的感应线圈中的电流为50A,使低位容器的温度降到1350℃,停止对高位容器加热,然后在1600℃的浇注温度将高位容器内熔液倾斜倒入低位容器;浇注完毕后约5小时,卸掉真空和关闭循环水后,打开炉门,取出复合材料。
7.如权利要求1所述复合材料制备方法,其特征在于,所述高熔点材料是碳钢,所述低熔点材料是Fe2B。
8.如权利要求1所述复合材料制备方法,其特征在于,所述低位容器内还可放置通过粉末冶金或其它方式制备的预制体。
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