[发明专利]基于集磁环结构的全光纤差流监测装置

权利要求书

1.基于集磁环结构的全光纤差流监测装置，它包括光电探测器(6)，其特征是：它还包括一号集磁环旋光晶体(1)、一号半透半反镜(2)、半波片(3)、二号集磁环旋光晶体(4)和一号全反镜(5)，一号集磁环旋光晶体(1)与二号集磁环旋光晶体(4)的结构完全相同，所述一号集磁环旋光晶体(1)包括旋光晶体(1-1)和下部开口的环形磁铁(1-2)，所述旋光晶体(1-1)设置在环形磁铁(1-2)下部的开口处；

第一入射光束经一号集磁环旋光晶体(1)旋光后获得第一偏振光束，所述第一偏振光束入射至一号半透半反镜(2)，经一号半透半反镜(2)分为反射光束和透射光束，所述反射光束沿与第一偏振光束的光轴垂直的方向出射；

第二入射光束经半波片(3)透射后入射至二号集磁环旋光晶体(4)，经二号集磁环旋光晶体(4)经旋光后获得第二偏振光束，所述第二偏振光束入射至一号全反镜(5)，并经一号全反镜(5)反射后获得反射光束，所述反射光束经一号半透半反镜(2)反射之后与经该一号半透半反镜(2)透射的透射光束一起汇聚至光电探测器(6)的光输入端。

2.根据权利要求1所述的基于集磁环结构的全光纤差流监测装置，其特征在于它还包括一号光源(11)和二号光源(12)，第一入射光束由一号光源(11)发出，第二入射光束由二号光源(12)发出。

3.根据权利要求2所述的基于集磁环结构的全光纤差流监测装置，其特征在于一号光源(11)和二号光源(12)均为波段为850nm的半导体激光器。

4.根据权利要求1所述的基于集磁环结构的全光纤差流监测装置，其特征在于它还包括光源(21)、二号半透半反镜(22)和二号全反镜(23)，光源(21)发出的光束入射至二号半透半反镜(22)，经二号半透半反镜(22)分为反射光束和透射光束，所述反射光束入射至二号全反镜(23)，经二号全反镜(23)反射后形成第一入射光束；经二号半透半反镜(22)透射的透射光束形成第二入射光束。

5.根据权利要求4所述的基于集磁环结构的全光纤差流监测装置，其特征在于光源(21)为波段为850nm的半导体激光器。

6.根据权利要求1所述的基于集磁环结构的全光纤差流监测装置，其特征在于第一入射光束和第二入射光束是完全相同的偏振光束。

7.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的基于集磁环结构的全光纤差流监测装置，所有光束传输过程均是在保偏光纤中进行的。