[发明专利]光电转换装置

权利要求书

1.一种光电转换装置，包括：

催化剂层，所述催化剂层具有第一部分和第二部分，所述第一部分从所述第二部分间隔开；以及

集电体，所述集电体具有向所述催化剂层的所述第一部分和所述第二部分之间的空间延伸或者延伸到所述空间之内。

2.如权利要求1所述的光电转换元件，还包括第一衬底和第二衬底，所述催化剂层和所述集电体布置在所述第一衬底和所述第二衬底之间。

3.如权利要求2所述的光电转换元件，其中所述催化剂层的所述第一部分和所述第二部分之间的所述空间，与所述催化剂层无关。

4.如权利要求1所述的光电转换元件，其中所述第一部分和所述第二部分平行布置。

5.如权利要求1所述的光电转换元件，其中所述催化剂层的所述第一部分和所述第二部分之间的所述空间的宽度大于所述集电体的宽度。

6.如权利要求1所述的光电转换元件，还包括包围所述集电体的尖端部分的保护层。

7.如权利要求6所述的光电转换元件，其中所述催化剂层的所述第一部分和所述第二部分之间的所述空间的宽度，大于所述集电体的宽度和所述保护层的宽度的组合宽度。

8.如权利要求6所述的光电转换元件，其中所述集电体的宽度和所述保护层的宽度的组合宽度，大于所述集电体的宽度。

9.如权利要求2所述的光电转换元件，还包括在所述第一衬底上形成的半导体层。

10.如权利要求9所述的光电转换元件，还包括透明导电层和对电极，所述催化剂层和所述集电极布置在所述透明导电层和所述对电极之间。

11.如权利要求10所述的光电转换元件，还包括布置在所述集电体和所述对电极之间的电解质。

12.如权利要求9所述的光电转换元件，其中所述半导体层包括锁孔氧化物半导体层。

13.如权利要求9所述的光电转换元件，其中所述半导体层包括第一部分和第二部分，所述半导体层的所述第一部分与所述第二部分间隔开。

14.如权利要求13所述的光电转换元件，其中所述半导体层的所述第一部分和所述第二部分平行布置。

15.如权利要求9所述的光电转换元件，还包括布置在所述半导体层和所述催化剂层之间的电解质层。

16.如权利要求15所述的光电转换元件，其中所述集电体的一部分布置在所述半导体层的所述第一部分和所述第二部分之间。

17.如权利要求10所述的光电转换元件，其中所述透明导电层和所述对电极之间的距离，大于由所述半导体层的厚度和所述催化剂层的厚度所定义的组合距离。

18.如权利要求10所述的光电转换元件，其中所述透明导电层和所述对电极之间的距离，大于所述透明导电层和包围所述集电体的所述保护层的端部之间的距离。

19.如权利要求10所述的光电转换元件，其中所述透明导电层和包围所述集电体的所述保护层的端部之间的距离，大于所述半导体层的厚度。

20.如权利要求10所述的光电转换元件，其中所述透明导电层和包围所述集电体的所述保护层的端部之间的距离，大于由所述半导体层的厚度以及所述半导体层和所述催化剂层之间的距离所定义的组合距离。

21.如权利要求9所述的光电转换元件，其中所述半导体层和所述催化剂层之间的距离范围是约5微米和约40微米之间。

22.如权利要求21所述的光电转换元件，其中所述半导体层和所述催化剂层之间的距离范围是约5微米和约20微米之间。

23.如权利要求22所述的光电转换元件，其中所述半导体层和所述催化剂层之间的距离的范围在约9微米和约16微米之间。

24.如权利要求1所述的光电转换元件，其中所述集电体的高度的范围在约0.1微米到100微米之间。

25.如权利要求9所述的光电转换元件，其中所述半导体层的厚度的范围在约1微米到约100微米之间。