[发明专利]晶向为[100]的单晶硅片亚微米绒面的制造方法无效
| 申请号： | 201110060146.1 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102134754A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘红成;张勇;姜红燕;王玉亭;李忠 | 申请（专利权）人： | 天威新能源（扬州）有限公司;保定天威集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 100 单晶硅 微米 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶向为[100]单晶硅片亚微米绒面的制造方法，其特征在于包括下列步骤：
(1)选择电阻率为0.5～20Ω.cm，晶向为[100]，硅片厚度为180±40um的单晶硅片；
(2)硅片预清洗，在包含3％～7％的君和150和1％～2％的NaOH重量比的水溶液内清洗，溶液温度控制在50～60℃，时间为4～6分钟；
(3)去除损伤层，将单晶硅片放入浓度为10％～15％NaOH重量比水溶液，温度控制在60～80℃，时间为2～6分钟；
(4)制绒，将单晶硅片放入1％～1.5％的NaOH，0.05％～1％的Na3PO4.12H2O，1％～1.5％的苯甲酸钠，0.1％～0.5％的钼酸钠重量比的水溶液中，温度控制在70～83℃，时间为5～25分钟。
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