[发明专利]用来进行区块管理的方法、记忆装置及其控制器

说明书

技术领域

本发明有关于具有多通道的闪存(Flash Memory)的存取(Access)，更具体地说，涉及一种用来进行区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。

背景技术

近年来由于闪存的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD标准的记忆卡)或具备闪存的固态硬盘(Solid State Drive，SSD)被广泛地实施在诸多应用中。因此，这些记忆装置中的闪存的访问控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(Single LevelCell，SLC)与多阶细胞(Multiple Level Cell，MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的储存能力则被充分利用，采用较高的电压来驱动，以透过不同级别的电压在一个晶体管中记录两组(或以上)位信息(00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的访问控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据相关技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。举例来说，相关技术的管理机制无法保证在搭配多通道的闪存进行清除运作时能达到最佳的处理效能。尤其是，在针对一超区块(Meta Block)进行一清除运作的期间，若该超区块中在某一通道没有有效页(Valid Page)，则在移动/复制该超区块中的有效数据时该信道处于闲置(Idle)状态。因此，需要一种新颖的方法来进行区块管理，以在进行清除运作时能达到最佳的处理效能。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的管理机制无法保证在搭配多通道的闪存进行清除运作时能达到最佳的处理效能的缺陷，提供一种用来进行区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于提供一种用来进行区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以在进行清除运作时能达到最佳的处理效能。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是：提供一种用来进行区块管理的方法，该方法应用于具有多通道(Channel)的闪存(Flash Memory)的控制器，该闪存包含分别对应于该些通道的多个区块，该方法包含有：选择具有至少一有效页(Valid Page)的至少一超区块(Meta Block)作为至少一候选超区块以供清除，并且累积(Accumulate)该至少一候选超区块中分别对应于该些通道的区块的各个有效页数量(Valid Page Count)，以产生分别对应于该些通道的多个累积值，其中每一超区块中的区块分别对应于该些通道，且每一有效页的数据包含有效数据；以及当侦测到该些累积值均达到一第一门坎值时，针对所有的候选超区块触发一清除运作，以在进行该清除运作的期间同时地移动/复制分别对应于该些信道的有效数据。

上述本发明所述的方法，其中选择具有该至少一有效页的该至少一超区块作为该至少一候选超区块以供清除的步骤另包含：

将该至少一超区块的至少一索引暂时地储存在一清除清单，以将该至少一超区块标示为该至少一候选超区块，其中该些候选超区块的索引分别被暂时地储存在该清除清单。

上述本发明所述的方法，其中针对该些候选超区块触发该清除运作以在进行该清除运作的期间同时地移动/复制分别对应于该些信道的有效数据的步骤另包含：

当侦测到该些累积值均达到该第一门坎值时，针对该些索引所指出的该些候选超区块触发该清除运作，以在进行该清除运作的期间同时地移动/复制分别对应于该些信道的有效数据。

上述本发明所述的方法，其另包含有：

在触发该清除运作之后，将该至少一索引从该清除列表移除。

上述本发明所述的方法，其中选择具有该至少一有效页的该至少一超区块作为该至少一候选超区块以供清除的步骤另包含：