[发明专利]硅材料的压差湿处理装置及其处理方法无效
| 申请号： | 201110033388.1 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102618933A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 倪党生;朱伟然 | 申请（专利权）人： | 上海思恩电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/06;B08B3/10 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 201323 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 材料 压差湿 处理 装置 及其 方法 | ||
1.一种硅材料的压差湿处理装置，包括：
压差容器；
在所述压差容器的内部，通过一支架设置有用于安放硅材料的载料构件；
在所述压差容器的顶部设有密封盖；
其特征在于，所述压差容器的壁面上设有超纯水入口，液位接口，排液接口，压缩气体接口和真空接口。
2.如权利要求1所述的硅材料的压差湿处理装置，其特征在于，所述超纯水入口设于临近所述载料构件的下部边沿平面。
3.如权利要求1所述的硅材料的压差湿处理装置，其特征在于，所述液位接口的位置略高于所述载料构件的上部边沿平面。
4.如权利要求1所述的硅材料的压差湿处理装置，其特征在于，所述排液接口位于所述压差容器的最低点处。
5.如权利要求1所述的硅材料的压差湿处理装置，其特征在于，所述压缩气体接口和真空接口高于所述液位接口。
6.如权利要求1所述的硅材料的压差湿处理装置，其特征在于，所述密封盖包括盖体，设于盖体的边缘彼此相对的转动臂和锁紧机构。
7.如权利要求6所述的硅材料的压差湿处理装置，其特征在于，所述密封盖还包括设于所述盖体的下部整个圆周边缘的密封圈。
8.如权利要求6所述的硅材料的压差湿处理装置，其特征在于，所述压差容器和所述密封盖的横截面为圆形或矩形。
9.如权利要求1所述的硅材料的压差湿处理装置，其特征在于，所述装置还包括与所述超纯水入口相连的纯水供应管路，所述纯水供应管路设有在线加热器。
10.一种硅材料的压差湿处理方法，其特征在于，将所述硅材料放入容器内部，密封所述容器；加入超纯水浸泡所述硅材料；往所述容器内通入压缩气体保压一定时间后抽真空。
11.如权利要求1所述的硅材料的压差湿处理方法，其特征在于，所述超纯水为20℃～80℃的超纯水。
12.如权利要求1所述的硅材料的压差湿处理方法，其特征在于，所述压缩气体压力为0～500kP。
13.如权利要求1所述的硅材料的压差湿处理方法，其特征在于，所述保压时间为30～180秒。
14.如权利要求1所述的硅材料的压差湿处理方法，其特征在于，所述抽真空压力为-70kPa～0kPa。
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