[发明专利]转换器设备和装备有这样的设备的不间断电源

权利要求书

1.一种转换器设备，使得能够通过对基于在参考电压线(REF)上和分别来自于两个开关单元(UC1、UC4)的符号相反的两个DC电压输入端(P、N)上的、可用的三个基本DC电压(-U/2、UREF、U/2)在调制信号输出端(SM)上获得的脉冲进行滤波来提供AC电压(VS)和电流(IS)，

每个开关单元包括开关输出端(S1、S4)，以提供脉冲，该脉冲的幅度在所述开关单元的第一开关状态中所述开关单元的输入端上的电压和所述开关单元的第二开关状态中所述参考电压线上的电压之间变化，

每个开关单元包括连接在所述开关单元的输入端和开关输出端(S1、S4)之间的第一开关(T1、T4)，以通过闭合所述第一开关建立所述第一开关状态，

对于每个开关单元，所述设备包括与所述开关单元有关的第二开关(T2、T3)，连接在所述开关单元和所述调制信号输出端之间以通过闭合所述第二开关激活所述开关单元，

其特征在于，对于每个开关单元，所述设备包括连接在所述开关单元的输入端(P、N)和该调制信号输出端(SM)之间的第三开关(TX1、TX4)，所述第一开关被控制以使得在一个方向或另一个方向上从第一开关状态切换到第二开关状态，保持所述第三开关断开，在所述第一开关状态的持续时间的至少一部分期间控制所述第三开关闭合。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，每个开关单元(UC1、UC4)进一步包括连接在该参考电压线(REF)和所述开关单元的开关输出端(S1、S4)之间的二极管(DH、DB)，以在第一开关(T1、T4)断开时建立第二开关状态。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，每个开关单元(UC1、UC4)进一步包括连接在该参考电压线(REF)和所述开关单元的开关输出端(S1、S4)之间的第四开关(T5、T6)，以在第一开关(T1、T4)断开时建立第二开关状态。

4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，每个开关单元的第四开关具有晶体管(T5、T6)和与所述晶体管并联连接的二极管(D5、D6)，该二极管的方向是在所述晶体管被反向偏置时导通。

5.根据权利要求1到4中的任何一个所述的设备，其特征在于，与每个开关单元(UC1、UC4)有关的第二开关(T2、T3)被布置在所述开关单元的开关输出端(S1、S4)和该调制信号输出端(SM)之间。

6.根据权利要求1到5中的任何一个所述的设备，其特征在于，该第一、第二和第三开关包括晶体管(T1、T2、T3、T4、TX1、TX4)。

7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，该第一、第二和第三开关包括分别与所述开关的晶体管(T1、T2、T3、T4、TX1、TX4)的每一个并联连接的二极管(D1、D2、D3、D4、DX1、DX4)，这些二极管的方向是在所述晶体管被反向偏置时导通。

8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，该第一、第二和第三开关的晶体管(T1、T2、T3、T4、TX1、TX4)是绝缘栅双极型晶体管IGBT。

9.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，该第一开关的晶体管(T1、T4)是碳化硅场效应晶体管，并且该第二和第三开关包括分别与所述开关的晶体管(T2、T3、TX1、TX4)的每一个并联连接的二极管(D2、D3、DX1、DX4)，这些二极管的方向是在所述晶体管被反向偏置时导通。

10.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，每个开关单元(UC1、UC4)的第一开关的晶体管(T1、T4)是MOS场效应晶体管，与所述开关单元(UC1、UC4)有关的第二开关包括与所述第二开关(T2、T3)的晶体管并联的几个串联连接的二极管，这些二极管的方向是在所述晶体管被反向偏置时导通。

11.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，它包括连接在该参考电压线(REF)和调制信号输出端(SM)之间的第五开关。

12.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，该第五开关包括串联连接的两个MOS场效应晶体管(TX2、TX3)，它们的方向是在相反方向上传导电流，对于所述两个晶体管的每一个，所述第五开关包括与所述晶体管并联连接的二极管(DX2、DX3)，这些二极管的方向是在所述晶体管被反向偏置时导通。