[发明专利]用于表面处理的设备和方法

权利要求书

1.一种用于涂布零件的设备，包括沉积室(1)和多个涂布设备(2,3)，所述涂布设备(2,3)用于同时地或连续地向所述沉积室(1)提供涂布材料，

其中至少一个所述涂布设备(2)为金属过滤电弧离子源(2)，

其中至少另一个所述涂布设备(3)为从激光烧蚀源(3)、磁控管、CVD设备或低能离子枪(5)中选择出的设备，

其特征在于，至少两个所述涂布设备(2,3)经由连接凸缘(10)可除去地连接到所述沉积室(1)上，

其中至少两个所述凸缘(10)为相同的，以便所述涂布设备(2,3)中的一者可经由不同的凸缘(10)连接到所述沉积室(10)上。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述金属过滤电弧离子源(2)包括至少一对金属离子源(28)，各个金属离子源均具有至少一个阴极(20)、至少一个阳极(21)和相关联的线圈(23,24,25,26,27)，其中在各个所述对内的所述两个金属离子源(28)的发射方向之间的所述角度(β)大于90°，但小于170°。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，在各个所述对内的所述两个金属离子源(28)的所述发射方向未处于相同平面中。

4.根据权利要求2或权利要求3中的一项所述的设备，其特征在于，所述设备包括叠加在彼此上的两对金属离子源(28)。

5.根据权利要求2至权利要求3中的一项所述的设备，其特征在于，所述阴极(20)具有圆锥形的形状，以便在服务时间期间使沉积均匀。

6.根据权利要求2至权利要求5中的一项所述的设备，其特征在于，各个所述金属离子源(28)包括用于集中所述金属离子束的两个集中线圈(23,24)。

7.根据权利要求2至权利要求6中的一项所述的设备，其特征在于，所述金属过滤电弧离子源(2)包括由各个所述金属离子源产生的所述金属离子束穿过的至少一个第一线圈(27)。

8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，所述金属过滤电弧离子源(2)包括在所述金属离子源后面的至少一个第二线圈(25)，所述第一线圈与所述第二线圈协作，以用于朝所述沉积室偏转所述金属离子束。

9.根据权利要求1至权利要求8中的一项所述的设备，其特征在于，所述设备还包括用于生成脉冲电流的至少一个电流源，所述脉冲电流用于向所述金属电弧离子源供能，其中所述电流源布置成用于产生具有在1Hz到100Hz之间的频率下的高于4000A的最大振幅的电流。

10.根据权利要求1至权利要求9中的一项所述的设备，其特征在于，所述激光烧蚀源(3)包括至少一个偏转线圈(39)，所述线圈(39)用于偏转和过滤由所述激光烧蚀源烧蚀的所述粒子。

11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，用于偏转和过滤由所述激光烧蚀源烧蚀的所述粒子的所述偏转线圈(39)为可旋转的，以用于控制所述粒子束的偏转。

12.根据权利要求10或权利要求11中的一项所述的设备，其特征在于，所述设备还包括由所述金属离子束穿过的至少一个线圈(26)和由所述激光烧蚀源烧蚀的所述粒子束穿过的至少一个线圈(38)，所述线圈(26,38)协作，以用于控制所述沉积室(1)内的所述粒子的分散。

13.根据权利要求1至权利要求12中的一项所述的设备，其特征在于，所述激光烧蚀源(3)包括激光器(30)、用于朝靶(32)偏转由所述激光器产生的所述激光束的镜(31)、用于旋转所述靶的第一马达(33)，以及用于使所述镜位移以便烧蚀所述靶的不同部分的第二马达(34)。

14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，使得所述激光束(300)与所述靶(32)的切线成小于45°的角。

15.根据权利要求13至权利要求14中的一项所述的设备，其特征在于，所述设备还包括用于使所述靶相对于所述激光束沿平行于所述靶的旋转轴线的轴线位移的第三马达。

16.根据权利要求1至权利要求15中的一项所述的设备，其特征在于，所述激光烧蚀源包括用于烧蚀一个或多个靶的两个激光器(30)。

17.一种由未涂布的零件制造涂布的零件的方法，所述方法使用围绕公共沉积室(1)的多个涂布设备(2,3)，其中所述沉积室(1)包括多个相容的连接凸缘(10)，

所述方法包括将金属过滤电弧离子源(2)安装在任何一个所述连接凸缘(10)上，将激光烧蚀源(3)安装到任何其它所述连接凸缘(10)上，以及将不同涂布材料的不同层连续地沉积在所述沉积室(1)内的一个或多个零件上。