[发明专利]数字X 射线检测装置无效
申请号: | 201080069384.2 | 申请日: | 2010-10-07 |
公开(公告)号: | CN103140171A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 李相一;李廷泌;李沅俊;文范镇;尹桢起 | 申请(专利权)人: | 迪迩科技 |
主分类号: | A61B6/00 | 分类号: | A61B6/00;A61B6/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数字 射线 检测 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种数字X射线检测装置,该装置在没有胶片的情况下,利用薄膜晶体管(TFT)获得数字影像。
背景技术
现有的用于医疗的诊断用X射线影像摄影系统使用胶片(film)对被拍摄体进行拍摄,并为了读取而对该胶片进行冲洗(print),从而获取影像。最近,正在研发一种在没有胶片的情况下利用薄膜晶体管(TFT)获得数字影像的数字X射线检测装置(digital x-ray detector)。
作为一个例子,数字X射线检测装置在外壳内以固定的形态形成X射线检测阵列。在此,X射线检测阵列包括:玻璃基板;薄膜晶体管,其层叠于玻璃基板上;非晶硒(Selenium)光转换物质层,其层叠于薄膜晶体管上;绝缘层,其形成于光转换物质层上,以及顶部电极,其形成于绝缘层上。
当X射线向X射线检测阵列照射时,X射线在光转换物质层内生成电子空穴对,电子空穴对通过向顶部电极施加的电压而被加速,电子向外部电极移动,而空穴则通过薄膜晶体管(TFT)的上部电极对薄膜晶体管(TFT)的电容进行充电。被充电的电压可通过薄膜晶体管(TFT)的开关动作,来检测X射线检测影像。
但是,上述的数字X射线检测装置由于在X射线影像摄影系统的外部使用的几率高,因此暴露于从外部施加的外力中的可能性高。例如,数字X射线检测装置在移动中或使用中会发生由于掉落而受到冲击的情况,或从外部受到冲击的情况。
在此情况下,数字X射线检测装置中易破损的X射线检测阵列的构成要素,例如,光转换物质层、薄膜晶体管、玻璃基板等会受损。由此,会产生数字X射线检测装置的性能降低的问题。因此,需要一种能将X射线检测阵列从冲击中进行保护的方案。
发明内容
本发明是为了解决上述的问题而提出的,其目的在于,提供一种能在冲击中保护易受损的X射线检测阵列的构成要素。
为了解决上述问题的本发明的数字X射线检测装置包括:X射线检测阵列,其检测对被拍摄体进行X射线照射时的X射线影像;支撑板,其支撑X射线检测阵列的下侧,并在下表面形成有相互隔开的多个第一结合部;外壳,其收容X射线检测阵列和支撑板,并在内侧底面与多个第一结合部分别对应地形成有多个第二结合部;多个冲击吸收部件,其分别竖着排列在支撑板的下表面和外壳的内侧底面之间,并且,各个冲击吸收部件的上端与第一结合部相结合,各个冲击吸收部件的下端与第二结合部相结合。
根据本发明,在没有利用螺钉或锁定装置将支撑板与外壳进行固定的情况下,也能将多个冲击吸收部件的上下端与支撑板和外壳相结合,从而将支撑板与外壳进行固定。同时,产生外部冲击时,能通过多个冲击吸收部件来吸收冲击,因此,能防止易破损的X射线检测阵列的构成要素,例如光转换物质层、薄膜晶体管及玻璃基板等的破损。而且,本发明中,第一结合部和第二结合部形成为冲击吸收部件的上下端可插入地进行结合的槽形状,从而具有增加组装方便性的效果。
附图说明
图1是本发明一实施例的数字X射线检测装置的剖视图。
图2是为了对图1的支撑板和外壳与多个冲击吸收部件相结合的过程进行说明的分解立体图。
图3是对图1的第一结合部和第二结合部的变形例进行图示的剖视图。
图4是为了对图3的第一结合部和第二结合部与冲击吸收部件相结合的过程进行说明的分解立体图。
图5是对图2的第一插入槽和第二插入槽及冲击吸收部件的变形例进行图示的分解立体图。
图6是对图2的冲击吸收部件的变形例进行图示的分解立体图。
具体实施方式
以下参照附图,对基于优选实施例的本发明进行详细说明。
图1是本发明一实施例的数字X射线检测装置的剖视图。而且,图2是为了对图1的支撑板和外壳与多个冲击吸收部件相结合的过程进行说明的分解立体图。
参照图1及图2,数字X射线检测装置100包括X射线检测阵列110、支撑板120、外壳130及多个冲击吸收部件140。
X射线检测阵列110检测对被拍摄体进行X射线照射时的X射线影像。在此,X射线检测阵列110被构成为将X射线直接变换为电荷。例如,X射线检测阵列110包括:玻璃基板;薄膜晶体管,其层叠于玻璃基板上;非晶硒(Selenium)光转换物质层111,其层叠于薄膜晶体管上的;绝缘层,其形成于光转换物质层111上,以及顶部电极,其形成于绝缘层上。
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