[发明专利]真空可变电容器

权利要求书

1.一种真空电容器（8），所述真空电容器（8）具有由真空电介质（3）隔开的第一电极（1）和第二电极（2），所述真空电容器（8）的特征在于，所述第一电极（1）和所述第二电极（2）中的至少一个由铝制成。

2.根据权利要求1所述的真空电容器（8），包括用于改变所述第一电极（1）和所述第二电极（2）中的至少一个的形状、定向和/或位置从而改变所述真空电容器（8）的电容的电容改变装置。

3.根据权利要求1所述的真空电容器（8），其中，所述第一电极（1）和所述第二电极（2）的形状、定向和/或位置是固定的。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的真空电容器（8），包括用于包围所述真空电介质（3）以及所述第一电极（1）和所述第二电极（2）的外壳（4、5、6），所述外壳（4、5、6）至少部分地由铝制成。

5.根据权利要求4所述的真空电容器（8），其中，所述外壳（4、5、6）设置有一个或者多个至少部分地由铝制成的电连接件（4、5）、以及至少部分地由陶瓷材料制成的绝缘部件（6）。

6.一种制造真空电容器（8）的方法，所述真空电容器（8）包括包围由真空电介质（3）隔开的第一电极（1）和第二电极（2）的外壳（4、5、6），所述方法包括由铝制造所述第一电极（1）和所述第二电极（2）中的至少一个的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，所述外壳（4、5、6）包括至少部分地由铝制成的至少一个导电部件（4、5）、以及至少部分地由陶瓷材料制成的至少一个绝缘部件（6），所述方法包括使用真空钎焊过程将所述导电部件（4、5）接合至所述绝缘部件（6）的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述真空钎焊过程是无焊剂钎焊过程。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，所述方法包括以机械、化学或者电化学方式抛光所述第一电极（1）和/或所述第二电极（2）的电容表面的步骤。

10.根据权利要求5所述的真空电容器（8）、或者根据权利要求7或8中任一项所述的方法，其中，所述陶瓷材料包括铝的氧化物。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的真空电容器（8）、或者根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中，所述第一电极（1）和/或所述第二电极（2）的每个电容表面被抛光成小于2微米的平均表面粗糙度级别和5微米的最大表面粗糙度级别。

12.根据权利要求1至5中任一项所述的真空电容器（8）、或者根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中，所述第一电极（1）和/或所述第二电极（2）具有被圆角处理成40微米的最小圆角半径的边缘。

13.根据权利要求1至8中任一项所述的真空电容器（8）、或者根据权利要求9至12中任一项所述的方法，其中，以毫米计的所述第一电极（1）与所述第二电极（2）之间的最近距离小于以千伏计的要施加在所述第一电极（1）与所述第二电极（2）间的最大电压的0.02倍。

14.根据权利要求1至5中任一项所述的真空电容器（8）、或者根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中，制成所述第一电极（1）和/或所述第二电极（2）、和/或所述外壳的所述导电部件（4、5）的所述铝是至少99%的纯铝。

15.根据权利要求1至5中任一项所述的真空电容器（8）、或者根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中，制成所述第一电极（1）和/或所述第二电极（2）、和/或所述外壳的所述导电部件（4、5）的所述铝不包含在25℃下排气率大于10^-9torr litre sec^-1cm^-2的物质。