[发明专利]产生用于对衬底表面图案化的等离子体放电的设备和方法

权利要求书

1.用于在衬底附近产生用于图案化所述衬底的表面的等离子体放电的设备，包括：

具有第一放电部分的第一电极和具有第二放电部分的第二电极，

用于在所述第一电极和所述第二电极之间产生高电压差的高压源，以及

用于相对于所述衬底定位所述第一电极的定位装置，

其中，所述设备还具有中间结构，所述中间结构在使用时设置在所述第一电极和所述衬底之间。

2.如权利要求1所述的设备，其中，所述中间结构形成为片材，所述片材具有至少一个孔，优选地具有多个孔，以使所述等离子体通过。

3.如权利要求1或2所述的设备，其中，所述中间结构包括不导电材料并且优选地基本由不导电材料构成。

4.如权利要求1或2所述的设备，其中，所述中间结构包括导电材料并且优选地基本由导电材料构成。

5.如权利要求2-4中任一项所述的设备，其中，所述第一电极沿通过所述至少一个孔延伸的轴呈伸长形。

6.如权利要求1-5中任一项所述的设备，其中，所述中间结构形成为包括加工材料的片材，所述加工材料至少部分地能够通过所述等离子体移置。

7.如权利要求6所述的设备，其中，所述中间结构包括具有所述加工材料的载体片材，其中所述加工材料能够通过所述等离子体至少部分地从所述载体片材移除。

8.如权利要求7所述的设备，其中，在使用时，所述加工材料设置在所述载体片材和所述衬底之间。

9.如权利要求1-8中任一项所述的设备，其中，所述定位装置设置为相对于所述第二电极将所述第一电极选择性地定位在第一位置中和第二位置中，在所述第一位置中，所述第一放电部分和所述第二放电部分之间的距离足够小，以在所述高电压差下支持所述等离子体放电，在所述第二位置中，所述第一放电部分和所述第二放电部分之间的所述距离足够大，以在所述高电压差下防止等离子体放电。

10.如权利要求9所述的设备，其中，所述定位装置设置为在朝向和远离所述第二电极的方向中移动所述第一电极。

11.如权利要求9或10所述的设备，其中，所述第二电极设计为鼓，在所述鼓的外表面上，片状衬底可以放置在所述鼓和所述第一电极之间，所述定位装置设置为在与所述外表面垂直的方向中移动所述第一电极。

12.如权利要求1-11中任一项所述的设备，其中，所述定位装置还设置为沿所述衬底的所述表面定位所述第一电极。

13.根据前述权利要求中任一项所述的设备，还包括外壳，其中，所述第一电极至少部分地由所述外壳包围，并且所述第一电极相对于所述外壳是可移动的。

14.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述高压源设置为调整所述第一电极和所述第二电极之间的所述高电压差。

15.根据前述权利要求中任一项所述的设备，包括多个第一电极和/或多个第二电极。

16.如权利要求15所述的设备，其中，所述定位装置设置为相对于所述一个或多个第二电极单独地定位每个第一电极。

17.如权利要求15或16所述的设备，其中，所述定位装置设置为相对于其他所述第一电极单独地定位每个第一电极。

18.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述第一电极由点阵式打印机的打印头的可移动笔形成，所述笔导电地连接到所述高压源。

19.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述第一电极和/或所述第二电极是纳米结构或微米结构，例如通过在所述放电部分进行激光沉淀或烧蚀、在所述放电部分进行专门的晶体成长或通过在所述放电部分提供碳纳米管。

20.如权利要求1-19中任一项所述的设备，其中，所述定位装置还设置为与所述第一电极同步地定位所述第二电极。

21.如权利要求20所述的设备，其中，所述第一电极和所述第二电极被机械地耦合。

22.如权利要求20或21所述的设备，其中，所述高压源设置为：在第一模式中，选择性地产生所述高电压差以支持所述等离子体放电；以及在第二模式中，产生减小的电压差或零电压差以防止等离子体放电。