[发明专利]薄膜形成方法和量子点设备有效
| 申请号： | 201080056814.7 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102666369A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 村山浩二 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L21/368;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 量子 设备 | ||
1.一种薄膜形成方法，其特征在于，制作带有第1表面活性剂的量子点，第1表面活性剂配位在量子点的表面，
使与所述第1表面活性剂相比大量准备的第2表面活性剂与带有第1表面活性剂的量子点在液体中接触，制作用所述第2表面活性剂取代了所述第1表面活性剂的一部分的量子点分散溶液，
接着，将所述量子点分散溶液涂布在基板上，同时地制作以所述第2表面活性剂为主成分的第2表面活性剂层和在表面配位有所述第1和第2表面活性剂的量子点层，形成二层结构的薄膜。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，将分散有所述带有第1表面活性剂的量子点的第1分散溶液干燥后，在含有所述第2表面活性剂的第2分散溶液中浸渍所述带有第1表面活性剂的量子点，制作所述量子点分散溶液。
3.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，在分散有所述带有第1表面活性剂的量子点的第1分散溶液中浸渍所述第2表面活性剂，制作所述量子点分散溶液。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于，在所述第2表面活性剂层的表面形成所述量子点层。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述第1表面活性剂为电子输送性表面活性剂，所述第2表面活性剂为空穴输送性表面活性剂。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述第1表面活性剂为空穴输送性表面活性剂，所述第2表面活性剂为电子输送性表面活性剂。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述量子点分散溶液的分散溶剂为三氯甲烷。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述量子点具有芯-壳结构。
9.一种量子点设备，其特征在于，是在第1表面活性剂层与第2表面活性剂层之间夹设有量子点层的量子点设备，
所述第2表面活性剂层和所述量子点层是使用权利要求1～8中任一项所述的薄膜形成方法来制造的。
10.根据权利要求9所述的量子点设备，其特征在于，是光电转换设备。
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